拓荆科技 - 688072.SH

主营业务：主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。

经营范围：一般项目:企业总部管理;企业管理;企业管理咨询;自有资金投资的资产管理服务;以自有资金从事投资活动;财务咨询;社会经济咨询服务;租赁服务(不含许可类租赁服务);国内贸易代理;销售代理。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)(最终以工商登记机关核定为准)

拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。

公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。

拓荆在北京、上海、海宁、青岛、沈阳和美国、BVI、新加坡及日本成立子公司。

拓荆主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备、超高深宽比沟槽填充(Flowable CVD)设备和三维集成(W2W/D2W Hybrid Bonding)设备以及相关量测设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。

产品主要应用于集成电路晶圆制造、先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。

拓荆产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的70多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术支持。

公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。

通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2022-2025)”。

拓荆总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米,2025年6月,投资近十亿的上海二厂已正式启用,同时投入十多亿筹建沈阳二厂。

公司已获得ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证。

通过与全球的供应商合作,形成了稳定的供应链系统。

拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。

报告期内,公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇,充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势,以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀,坚持自主创新,构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵,并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。

同时,持续强化公司运营管理,促进公司高质量、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果,进一步促进公司综合实力的提升。

1、主要经营情况报告期内,依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产,公司在先进制程领域核心竞争力显著提升,业务规模实现大幅增长。

2025年度,公司实现营业收入651,909.49万元,同比增长58.87%；实现归属于上市公司股东的净利润92,670.40万元,同比增长34.67%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润72,314.69万元,同比增长103.05%。

截至2025年12月31日,公司总资产1,982,356.69万元,较2024年年末增长29.45%；归属于上市公司股东的净资产660,995.72万元,较2024年年末增长25.18%。

公司资产质量良好,财务状况稳健。

2、公司产品研发及产业化进展情况报告期内,公司不断丰富和完善薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵和覆盖面。

通过持续自主创新和高强度研发投入,保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势,薄膜沉积设备和三维集成设备已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。

报告期内,公司先进制程领域的核心竞争力显著提升,业务规模实现大幅增长。

报告期内的研发投入金额达到85,927.42万元,同比增长13.66%。

在薄膜沉积设备方面,公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级,积极覆盖先进制程领域对先进薄膜工艺的需求,定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔,目前在先进存储、先进逻辑领域应用的量产规模不断扩大。

报告期内,基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM以及PECVDBianca等先进工艺设备已实现产业化放量,Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证,持续获得客户复购订单；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖,且这些工艺在先进制程中应用广泛,公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商；公司ALD设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升,其中,PE-ALD多款SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量,Thermal-ALD在持续拓展新工艺,并陆续获得订单、出货,其中首台TiN工艺产品已通过客户验证,截至报告期末,公司ALD设备累计出货超过140个反应腔；SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模,首台SACVD等离子体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。

截至报告期末,公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片等领域中所需的约100多种工艺应用。

在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面,报告期内,公司持续拓展客户群体,晶圆对晶圆混合键合设备获得客户复购订单并实现量产应用,同时拓展应用至不同客户并通过验证；公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证,产能、键合精度等关键指标大幅提升；首台晶圆对晶圆熔融键合设备通过客户验证。

目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用,公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

随着芯片技术的迭代升级,公司先进产品量产规模不断攀升,截至本报告期末,公司累计出货超过3,400个反应腔（包括超过400个新型反应腔pX和Supra-D）,进入约100条生产线。

公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。

公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大,截至本报告期末,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片,2025年单年的累计流片量突破2.1亿片。

公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD产品和UVCure产品：1PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品,已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。

报告期内,公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势,获得客户复购和批量订单,不断扩大量产规模。

报告期内,公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备且均通过客户验证,并持续获得订单,为存储领域顶部选择栅极和硬掩膜工艺提供解决方案。

此外,公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片需求,不断深耕拓展新工艺、新产品,研发高温至低温不同温度范围的多种先进薄膜,已陆续在客户端实现量产应用,满足客户不同的高标准需求。

公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备已实现产业化放量,持续获得客户复购订单。

该等产品满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。

截至本报告期末,对应前述设备已累计超过400个反应腔出货至客户端。

同时,公司PECVDBianca工艺设备也实现了产业化放量,同时持续获得客户复购订单,该设备为晶圆背面薄膜沉积设备,主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。

该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积,减少集成电路制造的工艺步骤,降低客户成本。

截至报告期末,累计超过80个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端,量产规模不断扩大。

公司NF-300H型号是高产能PECVD设备,可以搭载3个6站反应腔,每次可以同时最多处理18片晶圆。

该设备已实现产业化应用,可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜,在存储芯片制造、三维集成等领域具有广泛应用前景,报告期内持续出货并扩大量产规模。

公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H,可以搭载4个6站反应腔,每次可以同时最多处理24片晶圆。

截至本报告期末,NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造,进行工艺优化及多重验证。

该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜,实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺,满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。

②UVCure产品UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品,与PECVD设备成套使用,为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。

公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用,报告期内持续获得客户的订单、出货,扩大量产应用规模。

（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况①PE-ALD产品报告期内,公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升,目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。

基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单并出货,在客户端验证进展顺利,该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移,以及先进封装TSV隔离层等,具有优异的片内均匀性等关键指标。

②Thermal-ALD产品公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用,目前可以覆盖Al2O3、AlN、TiN、TiON等金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。

报告期内,公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺,并陆续获得订单、出货,其中TiN工艺产品已通过客户验证,目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户。

此外,公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺,前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。

（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势,推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备首台通过客户验证,满足先进存储领域应用需求,同时,持续获得客户订单并出货,进一步扩大量产应用规模。

截至报告期末,公司SACVD系列产品已出货累计超过150个反应腔。

（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司HDPCVD持续获得客户订单并出货,不断扩大量产规模。

截至报告期末,公司HDPCVDUSG、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化,并持续扩大量产规模,截至报告期末,公司HDPCVD系列产品已出货累计超过120个反应腔。

（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证,实现了产业化应用。

报告期内,公司持续获得订单并出货,凭借优异的性能表现,被客户选定为POR（基准工艺）机台。

（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司持续拓展应用于三维集成设备,包括先进键合产品及配套的量检测产品,主①晶圆对晶圆混合键合产品公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品,已实现产业化,可实现百纳米级晶圆混合键合,其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。

报告期内,该产品持续拓展客户群体,获得客户复购订单并出货,覆盖了先进存储、先进逻辑等应用领域,量产规模快速提升。

报告期内,公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX,该产品采用更先进的对准技术,拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能,可达到国际同类产品最先进水平,目前已出货至客户端验证,验证进展顺利。

②晶圆对晶圆熔融键合产品公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX,可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合,具备优异的产能表现,报告期内,该产品已完成先进逻辑领域客户的验证。

③芯片对晶圆键合前表面预处理产品公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化,可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗,具备高产能的特点。

报告期内,该产品持续获得客户重复订单。

④芯片对晶圆混合键合产品公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione,可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上,精度可达百纳米级,具有高精度、高产能、低污染的特点。

截至本报告期末,该产品正在客户端进行验证,同时进一步提升其量产性能指标。

⑤键合套准精度量测产品公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测,具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点,并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。

该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

⑥键合强度检测产品公司根据客户需求,研制了键合强度检测产品Ascella300,可以实现晶圆键合后的强度检测。

该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

⑦永久键合后晶圆激光剥离产品报告期内,公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品的研制。

该产品可以实现永久键合后晶圆剥离,晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题,帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。

3、供应链保障方面在供应链建设方面,公司建立了完善的供应链管理体系,吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源,关键零部件采用“多源采购”模式,并与核心供应商建立长期战略合作关系,确保关键部件的及时稳定供应。

在此基础上,公司与供应商构建了协同创新机制,在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作,确保部件产品性能达到公司先进需求,形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。

这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。

报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产并及时交付。

4、市场销售情况报告期内,公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场,凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势,不断提升产品综合竞争力,在客户群体的拓展方面取得显著成效,成功导入多家新客户,并获得海外客户订单,公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。

截至报告期末,公司在手订单饱满。

公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成设备新工艺、新产品,同时,公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系,根据客户不同需求,提供高度定制化、高性能的设备产品,以及全方位、高质量的售后服务。

同时,公司深入了解行业前沿需求,为产品研发和创新提供方向指引,为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。

5、人才队伍建设情况报告期内,公司结合战略规划与业务发展目标,持续加强人才梯队建设,致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。

截至2025年12月31日,公司员工总数1,696人,其中研发人员726人,占公司员工总数的42.81%。

公司构建完善的人才引育留用体系。

在人才引进方面,通过校企合作、校园招聘、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生,借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。

在人才培养方面,搭建多维培训体系,覆盖技术、管理等多方面,支持员工学历与能力提升,依托博士后基地深化产学研合作,培育复合型人才。

同时,开展员工关怀活动,定期评优表彰,强化激励与归属感,为企业持续发展提供坚实人才支撑。

报告期内,公司实施了2025年限制性股票激励计划,向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。

截至本报告披露日,公司已实施2022年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025年限制性股票激励计划,上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定,助力公司长远发展。

6、营运管理方面报告期内,公司智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面,开展针对性优化升级。

在用户体验优化方面,优化交互逻辑与系统性能,实现了用户体验与运行效率的双重提升；在功能方面,结合先进的算法优化深入探索系统模型,形成完整的分析流程与结果呈现机制。

公司智能化MES系统（生产管理系统）进行了数十项的功能优化与提升,实现“系统服务于人、人员遵守系统规则”的双向管控,使员工在作业中更加标准规范,所有操作均可被记录、追溯与持续优化。

公司持续完善产品质量管理体系,致力于为客户提供稳定、可靠的产品与服务。

报告期内,公司全面质量管理体系（TQM）实现全流程落地运行,覆盖研发、供应链、制造及服务全链条,有效保障产品质量目标达成。

在EHS（环境、健康、安全）方面,公司进一步完善绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理,保障生产的合规性与安全性。

同时,公司积极推进信息安全管理,报告期内,新增公司和拓荆创益的ISO/EC27001:2022信息安全管理体系认证,进一步规范信息资产管理、数据使用管理等流程,夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。

7、募投项目建设进展情况①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”（以下简称“上海二厂”）是在上海临港新片区建设研发与产业化基地,总建筑面积约9万平方米,用于先进ALD设备及工艺的研发,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。

报告期内,该产业化基地已投入使用,本募投项目已结项。

上海二厂效果图2高端半导体设备产业化基地建设项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地,规划总建筑面积超15万平方米,规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等,并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施,致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。

截至报告期末,沈阳二厂已开始施工建设,进展顺利。

注：上图为规划效果图8、对外投资情况报告期内,公司结合发展战略规划,进一步完善业务发展布局,提升公司的综合竞争力,开展了以下对外投资事项：（1）投资设立控股子公司/向控股子公司增资报告期内,公司控股子公司拓荆键科为进一步加强三维集成领域产业布局,开展了新一轮融资,融资金额为人民币103,950.00万元,其中,公司以经评估后的债权和自有资金合计人民币45,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本,本次交易完成后,公司对拓荆键科的持股比例为53.5719%,并合计控制拓荆键科约76.9188%的表决权,拓荆键科仍为公司合并报表范围内的控股子公司。

报告期内,公司设立了控股子公司拓荆青岛,积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球,为公司进一步拓展海外业务奠定基础。

（2）积极开展产业投资报告期内,公司开展了对原子启智、芯丰精密的股权投资,围绕原子层刻蚀、三维集成等领域的产业链进行横向布局,本次投资系围绕产业趋势和公司战略目标的产业投资,有助于公司业务的深度拓展,实现资源的高效整合与优化配置,进一步提升公司整体的市场竞争力,符合公司主营业务及战略发展方向。

截至本报告期末,公司及子公司已直接/间接累计投资19家企业,覆盖多个半导体设备产业链领域,强化产业链协同效应,提升整体业务竞争力。

9、公司治理情况报告期内,公司共召开股东会6次、董事会9次、董事会审计委员会7次、董事会薪酬与考核委员会5次、提名委员会1次、战略规划委员会2次及独立董事专门会议5次,所有审议议案均100%获得通过。

公司严格遵循《公司法》《证券法》等法律法规要求,根据监管导向及时制定和修订相关公司治理制度28项,持续优化决策程序与内控机制。

通过不断健全法人治理结构、完善内部控制制度建设,公司经营管理决策的科学性、合理性与合规性进一步增强,规范运作水平持续提升。

报告期内,公司治理体系运行高效、风险管控扎实有力,为业务稳健发展及战略目标实现提供了坚实保障。

10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作,严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。

公司认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。

公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级,2025年度获得中国证券报2024年度上市公司金牛奖“金信披奖”。

公司高度重视投资者关系管理相关工作,通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通,促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系,实现公司价值和投资者利益的最大化。

报告期内,公司召开6次业绩说明会/投资者交流会。

报告期内,公司获得中国上市公司协会颁发的“2024年投资者关系管理最佳实践奖”。

公司高度重视内幕交易防范工作,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。

对公司董事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定。

发行人前身沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月28日,注册资本1,000万元;中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、孙丽杰分别出资600万元、400万元,持有拓荆有限60%、40%的股权。

为整体变更设立为股份有限公司之目的,拓荆有限分别聘请审计机构天健会计师事务所(特殊普通合伙)和资产评估机构北京中企华资产评估有限责任公司对公司截至2020年5月31日的净资产进行了审计和评估。

2021年1月12日,沈阳市市场监督管理局核准拓荆有限整体变更设立为股份有限公司,并向发行人核发了营业执照。

拓荆有限整体变更为股份有限公司时,改制基准日2020年5月31日的财务报表未分配利润为-28,126.78万元,存在累计未弥补亏损。

半导体专用设备行业具有技术壁垒高、研发投入大、产品验证周期长的特点。

在公司业务发展初期,公司需要对产品进行大额的投入。

在产品研发完成后,公司需要将产品发运至客户端进行验证,验证完成后才能形成销售,而客户端的验证周期通常较长。

因此,公司在前期产品技术研发、市场培育、客户导入的过程中,需要较高的投入,却不能在短期内转化为公司的销售收入,从而形成了整体变更设立股份有限公司时的累计未弥补亏损。

2019年5月,经拓荆有限董事会决议,大连港航向中微公司转让其所持拓荆有限3.9646%股权,转让价格为19元/元注册资本。

本次股权转让价格由转让双方参照北京中企华资产评估有限责任公司出具的《资产评估报告》(中企华评报字(2018)第3695号)为基础协商定价。

2019年5月6日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。

经拓荆有限董事会2019年5月作出决议,中科仪拟对外转让所持拓荆有限4.215%的股权。

中科仪为中科院下属企业,本次转让采用进场交易。

2019年5月17日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。

依据摘牌前与盐城燕舞达成的协议,宿迁浑璞于2019年7月向盐城燕舞转让所持拓荆有限2.1075%的股权,转让价格为宿迁浑璞在北京产权交易所挂牌交易中取得标的股权的交易本金及资金占用成本,转让价格为19.18元/元注册资本,转让价款共计2,887.0245万元。

2019年7月12日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。