主营业务：锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发
经营范围：锗系列产品及其他冶金产品、矿产品生产、冶炼、销售;本企业自产的高纯二氧化锗、锗锭、区熔锗、有机锗系列产品、有色金属及矿产品相关技术的出口;本企业生产、科研所需原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口;红外光学镜头设计与制造;光学元件加工热压成型;锗煤生产与销售。
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司(简称云南锗业)是集锗矿开采、精深加工和研发为一体的、锗产业链较为完整的高新技术企业,具有40余年的锗生产历史。
公司拥有全资和控股子公司8家,下属企业分布在云南临沧、云南昆明、湖北武汉等地。
公司于2004年通过了ISO9001国际质量管理体系认证,于2015年通过了ISO14001环境管理体系ISO18001职业健康安全体系认证。
是2008年云南省第一批认定的“高新技术企业”和“国家火炬计划重点高新技术企业”,是2010年国家科学技术部认定的“临沧国家锗材料高新技术产业化基地骨干企业”。
至2016年底,公司已拥有10大类产品:高纯二氧化锗、有机锗、区熔锗、红外锗光学元件、红外热像仪整机、太阳能电池用锗单晶及晶片、高效聚光太阳电池模组、光纤四氯化锗、高纯度砷化镓单晶及晶片、磷化铟单晶及晶片。
技术创新:公司拥有专门的研发机构——企业技术中心,于2007年9月被认定为省级企业技术中心(云经技术[2007]393号),于2010年云南省认定的“云南省锗材料工程技术研究中心”,并于2015年12月被国家发改委认定为国家级企业技术中心(发改高技[2015]3264号)。
主要从事太阳能电池用锗单晶及晶片、超高纯锗单晶及高纯锗探测器、红外光学锗精密元器件、红外热像仪、锗高端新产品、磷化铟单晶及晶片等和其它半导体材料的核心关键技术开发和产业化技术开发。
“十二·五”期间,公司确立了新技术、新产品研发投入机制和技术创新合作机制,与中国科学院半导体研究所、北京航空航天大学、深圳大学、华北电力大学等院校合作,创建了以中国科学院院士、研究员等为核心的科研团队,建立了产、学、研研发平台,实现了科工贸一体化。
公司通过自主研发和合作研发,掌握了锗、砷化镓、硅等半导体材料加工关键技术48项,经成果转化实现了精深加工产业化。
公司主持并参与制定的国家锗行业标准共41项,正在起草的标准项目9项。
2011年、2015年两次获云南省标准化创新贡献奖,先后获得全国半导体材料标准优秀奖8项;先后承担国家科技支撑计划课题2项、国家863科技计划课题1项,省市级科技计划项目6项。
先后获得2014年度云南省技术发明一等奖、2011年度科技创业奖、云南省科学技术进步奖等各级科技奖励10余项。
近年来,公司曾多次被省、市政府及相关部门评为“守合同重信用单位”、“科学技术进步单位”、“工商企业诚信单位”、“劳动关系和谐企业”、“云南省百户优强工业企业”、“云南省科技小巨人企业”等。
品牌建设:公司注重品牌建设,注重产品质量的提高,以顾客满意为关注的焦点,并及时与顾客进行沟通,了解顾客的需求。
于2002年向国家商标局申请注册了商标为“临鑫圆”牌的“二氧化锗,有机锗”产品,于2008年11月又申请注册了区熔锗锭的“临鑫”牌及重新注册了“临鑫圆”牌。
云南锗业拥有1项中国驰名商标、1项云南省著名商标、2种省级名牌产品和2种云南省重点新产品。
“临鑫圆LINXINYUAN及图商标”于2012年4月被国家工商行政管理总局商标局认定为中国驰名商标。
“临鑫圆”牌区熔锗锭于2010年10月被云南省名牌战略推荐委员会认定为云南省名牌产品。
“临鑫圆”牌高纯二氧化锗于2013年10月被云南省名牌战略推荐委员会认定为云南省名牌产品。
“开盒即用高效太阳能电池用锗单晶片”和“有机锗-132”于2014年被评为云南省重点新产品。
“临鑫圆”牌产品“二氧化锗,有机锗”于2010年被认定为云南省著名商标。
1、公司业务和产品公司主要业务为锗矿开采、锗系列产品与化合物半导体材料的精深加工及研究开发。
目前公司矿山开采的矿石及粗加工产品不对外销售,仅作为公司及子公司下游加工的原料。
公司目前材料级锗产品主要为锗锭（金属锗）、二氧化锗；深加工方面,光伏级锗产品主要为太阳能电池用锗晶片,红外级锗产品主要为红外级锗单晶及毛坯（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪、光学系统,光纤级锗产品为光纤用四氯化锗,化合物半导体材料主要为砷化镓晶片、磷化铟晶片。
公司产品主要运用包括红外光电、空间太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。
截至期末,公司材料级锗产品锗锭产能为47.60吨/年,太阳能锗晶片产能为125万片/年（折合4英寸）,光纤用四氯化锗产能为60吨/年,红外光学锗镜头产能为3.55万套/年,砷化镓晶片产能为80万片/年（2—6英寸）,磷化铟晶片产能为15万片/年（2—4英寸）。
2、经营模式公司生产部门根据各产品的市场需求情况,结合公司生产实际情况,制定生产计划,进行生产准备,并组织实施生产。
锗系列产品所需原料由自有矿山供应及外购原料共同构成,辅助材料则由外部供应；化合物半导体材料产品所需原辅料全部从外部采购。
下游深加工产品方面,由子公司负责不同系列的产品生产。
昆明云锗高新技术有限公司负责红外级锗产品生产,武汉云晶飞光纤材料有限公司负责光纤级锗产品生产,云南鑫耀半导体材料有限公司及下属湖北鑫耀半导体有限公司负责化合物半导体材料生产,云南中科鑫圆晶体材料有限公司负责光伏级锗产品生产。
公司及子公司实行集中采购,对采购流程严格控制,通过ERP系统对采购过程进行全程监督。
公司所有产品销售均由销售部门负责,根据产品用途,将产品划分为材料级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品、光纤级锗产品、化合物半导体材料等,按照上述产品类别,分别在公司和负责上述产品生产的子公司设立市场营销部门负责各系列产品的销售。
3、盈利能力目前,按产品类别来看,公司营业收入来源占比最大的仍为材料级锗产品的销售。
近年来,随着公司发展战略的逐步推进,公司内部整体产业结构重心逐步向下游深加工领域转移,材料级锗产品的销售占比总体呈下降趋势,对公司业绩的影响程度也在不断下降；与此同时,公司通过不断延伸产业链、发展深加工产品,希望通过下游精深加工产品、化合物半导体材料的销售保证公司赚取产业链中利润率相对较高的部分,因此,公司锗深加工产品、化合物半导体材料能否顺利拓展市场、释放产能,销售比重能否进一步提高,将会是驱动公司业绩增长的重要因素。
4、报告期末公司矿产资源储量情况截至2009年12月31日,公司矿山已经探明的锗金属保有储量合计689.55吨。
后公司通过收购采矿权和股权的方式陆续整合五个锗矿山,锗金属保有储量增加约250吨。
公司对中寨锗矿进行资源勘查,《云南省临沧市中寨锗矿资源储量核实报告》矿产资源储量评审于2016年1月11日由国土资源部进行备案,根据报告,中寨锗矿增储29.75吨。
2019年,公司梅子箐矿山根据国家产业政策关闭退出,减少保有储量66.97吨（金属量）。
2010年至2025年12月31日,累计消耗公司自有矿山资源产出金属量约305.23吨。
1、概述2025年度,部分锗产品消费替代加速,锗金属价格开始回调,国内外价格走势持续分化,锗行业运行呈现“供应增、消费转、出口缩、价格分化”的典型特征。
销量方面,本年度随着国家低轨互联网卫星计划的推进,光伏级锗产品市场需求大幅增加,使得公司光伏级锗产品销量较上年大幅增加；本年度光通信市场景气度提升,公司化合物半导体材料产品销量增加；本年度光纤级锗产品、红外级锗产品（镜头、光学系统）订单量增加使得销量同比增加；本年度受替代材料应用加速的影响,红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）销量下降。
产品价格及成本方面,本年度国内锗价整体震荡回调,但全年均价较上年同期上涨,材料级锗产品、光纤级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）销售均价及单位成本均较上年同期上升,但单位成本的增长大于销售价格的增长,化合物半导体材料销售价格均价上升且受益于产量增加使得单位成本略微下降。
上述产品的销量、价格以及成本的变动使得公司本期营业收入增加但综合毛利率下降。
2025年,公司实现营业收入106,588.12万元,实现归属于上市公司所有者的净利润2,014.60万元。
（1）经营情况综述①产品生产情况2025年,公司及子公司生产材料级锗产品98.65吨（其中对外销售29.7吨,内部销售及代加工68.95吨）；生产红外级锗产品折合金属量4.77吨,镜头及光学系统4,714具（套）；生产光伏级锗产品90.90万片（4-6寸合计）；生产光纤级锗产品39.84吨；生产化合物半导体材料：砷化镓晶片7.63万片（1-6寸合计）,磷化铟晶片10.01万片（2-4寸合计）。
②预算牵引,精准配置核心资源报告期内,公司以战略目标为导向,推行“上下结合”的预算编制方式,优先保障半导体、光伏等核心业务及创新领域投入。
建立多维度预算模型,将业务计划、资本支出与财务指标联动,实现资源精准配置。
通过ERP系统的建设,初步实现预算执行实时跟踪与偏差预警。
各子公司将预算指标细化至部门层面,签订“预算责任书”,预算执行率纳入绩效考核。
生产运营中心每月下达月度生产任务,合理调配资源。
③技术攻关,构建协同创新生态报告期内,公司聚焦核心技术攻关,研发投入保持高位增长。
公司构建开放式创新生态,充分发挥国家企业技术中心作用,深化与多所知名高校的产学研合作。
全年持续引进高层次人才,专业技术职称人员队伍不断壮大。
大尺寸磷化铟、砷化镓等新产品研发有序推进。
全年新增多项授权专利及专利申请,积极参与团体标准制定,行业话语权持续增强。
④全链条降本,精益运营增效报告期内,公司着手构建全链条成本闭环管理体系。
采购端推行大宗物资集中招标与供应商动态评价,通过“年度框架协议+批量竞价”模式,重要物资采购成本实现整体下降。
生产端持续优化工艺,降低物耗能耗。
各子公司实施节能改造,通过参与电力市场化交易有效节约电费。
建立应收账款分级预警机制,审计部开展专项检查,督促相关公司开展超期账款催收。
通过精益运营,公司主要产品加工成本同比下降,为盈利改善提供了有力支撑。
⑤内控加固,深化稳健合规文化报告期内,公司持续健全内控制度体系,完成监管现场检查相关整改工作,修订多项内部管理制度,动态更新《内部控制管理手册》。
设立合规专职岗位,构建业务部门主体责任、合规专项审查、审计部门强化整改问责的“三道防线”。
合规岗全年审查大量合同及用印事项,同步推进集团销售、采购业务的合规审查。
审计部开展财务、专项、内控评价等审计项目,发现并督促整改应收账款超期、合同条款风险等问题。
推行全员合规承诺,组织多场合规及合同管理专题培训。
通过制度、技术、文化多维协同,公司全年未发生重大合规风险事件。
⑥质量筑基,提升品牌口碑报告期内,公司构建覆盖产品全生命周期的质量管理体系。
全公司落实“每班三检”制度,系统排查并整改各类隐患,保障原料质量稳定。
完善来料检验、过程控制及出货检验,积极开展质量改进项目。
通过工艺优化,批量交付能力得到提升。
将质量目标纳入全员绩效考核,定期开展质量复盘。
通过全流程质量管控,公司主要产品良率稳步提升,为市场拓展提供了坚实保障。
⑦优化市场结构,突破高附加值赛道报告期内,公司紧抓航天光伏、AI等产业发展机遇,大力调整产品结构与客户结构。
光伏级锗产品在空间卫星电池应用领域保持较高国内市场份额,全年用量实现较快增长。
复合光学系统市场份额保持稳定。
光纤级四氯化锗销量同比增长。
半导体材料方面,磷化铟晶片销售额实现大幅增长,客户数量持续增加。
全年积极参加多场行业论坛及国际展会,成功开拓多家优质新客户。
通过市场结构优化,高附加值产品销售占比持续提升,公司全年营业收入保持稳步增长。
⑧释放产能,升级智能高效制造报告期内,公司围绕深加工产能提升、新项目布局及产线智能化改造三大方向发力。
一是聚焦深加工产能释放,本年度磷化铟晶片、太阳能电池用锗晶片、光纤级四氯化锗等深加工产品产销量均同比大幅增长。
二是加快布局战略性新项目,推进“先进锗材料建设项目”“空间太阳能电池用锗晶片建设项目”“高品质砷化镓晶片建设项目”等项目建设,项目建设按照规划顺利推进；三是推动产线智能化升级,完成ERP系统一期上线和二期蓝图设计；推进产线数智化升级。
通过产能释放与智能升级,生产效率与工艺精度持续提升,为高质量发展注入新动能。
⑨筑牢安全环保防线,夯实稳固发展底线报告期内,公司始终将安全环保置于首位,全面落实安全生产责任体系,全年未发生工亡、重大设备、重大环境污染、火灾爆炸及职业病等事故,实现“六零”目标,各子公司均开展了安全生产标准化建设。
公司持续加大安全环保投入,系统排查并整改各类隐患,整改率保持100%。
通过技术创新,锗渣产生量大幅缩减,绿色发展理念深入践行。
同时,公司坚持预防为主,组织开展覆盖全员的安全培训与多场应急演练,确保环保排放达标、危废处置合规,实现了安全环保与生产运营的协同发展。
增减变动原因：营业收入本年度较上年度相比增加,主要系：主要产品价格变动,增加营业收入22,505.74万元,其中,材料级锗产品,红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）,光纤级锗产品,光伏级锗产品,化合物半导体材料均价上升；红外级锗产品（镜头、光学系统）下降。
主要产品销售量变动,增加营业收入7,342.19万元,其中,化合物半导体材料,光伏级锗产品,红外级锗产品（镜头、光学系统）,光纤级锗产品销量上升；红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）,材料级锗产品销量下降。
营业成本本年度较上年度相比增加,主要系：主要产品单位成本变动,增加营业成本合计23,129.30万元,其中材料级锗产品,光纤级锗产品,红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）,光伏级锗产品单位成本上升；化合物半导体材料,红外级锗产品（镜头、光学系统）单位成本下降。
主要产品销售量上升增加营业成本合计6,065.15万元。
销售费用本年度较上年度相比下降,主要系本期业务宣传费等销售费用减少。
管理费用本年度较上年度相比下降,主要系本期停工损失同比减少,以及通过绩效考核管理人员薪酬同比减少所致。
研发费用本年度较上年度相比增加,主要系本期按计划开展的化合物半导体材料、光伏级锗产品、红外级锗产品等相关研发项目,根据《企业会计准则第6号-无形资产》以及公司研发费用资本化会计政策要求,除XXX锗单晶抛光片关键技术开发项目,KMYZ20240101项目以及前期进入资本化阶段的KMYZ20210601项目外,其余项目均未达到资本化的确认条件,发生的费用全部计入研发费用所致。
财务费用本年度较上年度相比增加,主要系上年末公司对云南鑫耀半导体材料有限公司前一轮投资人的少数股东权益存在或有回购义务,对新增投资人的少数股东权益存在回购义务,按未来付现义务的现值确认的金融负债,本期摊销未确认融资费用2,564万元所致。
其他收益本年度较上年度相比下降,主要系本期收到计入当期损益的政府补助减少所致。
信用减值损失本年度较上年度相比增加,主要系本期应收账款增加使得应收款项坏账准备金增加。
资产减值损失本年度较上年度相比增加,主要系期末为部分产品计提的存货跌价准备较上年同期增加所致。
资产处置收益本年度较上年度相比增加,主要系本期处置部分闲置固定资产产生的收益较上年增加所致。
营业外收入本年度较上年度相比减少,主要系上期注销部分长期挂账的应付款,本期未发生该类事项所致。
营业外支出本年度较上年度相比减少,主要系本期矿山周边沟渠维护费、出口货物损失费用同比下降。
所得税费用本年度较上年度相比减少,主要系本期部分公司可抵扣亏损增加,递延所得税资产增加所致。
归属于母公司所有者的净利润本年度较上年度相比下降,主要系本期公司研发项目按计划开展,研发费用同比增加；公司对控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的部分少数股东存在（或有）回购义务,本期摊销未确认融资费用2,564万元,使得财务费用同比增加；由于本期光伏级锗产品销售收入大幅增加,导致账期内应收账款相应增加,按照公司会计政策计提的信用减值损失亦同比增加。
少数股东损益本年度较上年度相比增加,主要系控股子公司武汉云晶飞光纤材料有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司利润增加所致。
本公司是由鑫圆有限整体变更设立的股份有限公司,本公司是目前国内锗产业链完整、锗金属保有储量大、锗产品产销量大的锗系列产品生产商和供应商。