云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

企业介绍
  • 注册地: 云南
  • 成立日期: 1998-08-19
  • 组织形式: 大型民企
  • 统一社会信用代码: 915300002194829991
  • 法定代表人: 包文东
  • 董事长: 包文东
  • 电话: 0871-65955312,0871-65955973
  • 传真: 0871-68213308
  • 企业官网: www.sino-ge.com
  • 企业邮箱: Diractorate@sino-ge.com
  • 办公地址: 云南省昆明市呈贡新区马金铺电力装备园魁星街666号
  • 邮编: 650503
  • 主营业务: 锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发
  • 经营范围: 锗系列产品及其他冶金产品、矿产品生产、冶炼、销售;本企业自产的高纯二氧化锗、锗锭、区熔锗、有机锗系列产品、有色金属及矿产品相关技术的出口;本企业生产、科研所需原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口;红外光学镜头设计与制造;光学元件加工热压成型;锗煤生产与销售。
  • 企业简介: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司(简称云南锗业)是集锗矿开采、精深加工和研发为一体的、锗产业链较为完整的高新技术企业,具有40余年的锗生产历史。公司拥有全资和控股子公司8家,下属企业分布在云南临沧、云南昆明、湖北武汉等地。公司于2004年通过了ISO9001国际质量管理体系认证,于2015年通过了ISO14001环境管理体系ISO18001职业健康安全体系认证。是2008年云南省第一批认定的“高新技术企业”和“国家火炬计划重点高新技术企业”,是2010年国家科学技术部认定的“临沧国家锗材料高新技术产业化基地骨干企业”。至2016年底,公司已拥有10大类产品:高纯二氧化锗、有机锗、区熔锗、红外锗光学元件、红外热像仪整机、太阳能电池用锗单晶及晶片、高效聚光太阳电池模组、光纤四氯化锗、高纯度砷化镓单晶及晶片、磷化铟单晶及晶片。技术创新:公司拥有专门的研发机构——企业技术中心,于2007年9月被认定为省级企业技术中心(云经技术[2007]393号),于2010年云南省认定的“云南省锗材料工程技术研究中心”,并于2015年12月被国家发改委认定为国家级企业技术中心(发改高技[2015]3264号)。主要从事太阳能电池用锗单晶及晶片、超高纯锗单晶及高纯锗探测器、红外光学锗精密元器件、红外热像仪、锗高端新产品、磷化铟单晶及晶片等和其它半导体材料的核心关键技术开发和产业化技术开发。“十二·五”期间,公司确立了新技术、新产品研发投入机制和技术创新合作机制,与中国科学院半导体研究所、北京航空航天大学、深圳大学、华北电力大学等院校合作,创建了以中国科学院院士、研究员等为核心的科研团队,建立了产、学、研研发平台,实现了科工贸一体化。公司通过自主研发和合作研发,掌握了锗、砷化镓、硅等半导体材料加工关键技术48项,经成果转化实现了精深加工产业化。公司主持并参与制定的国家锗行业标准共41项,正在起草的标准项目9项。2011年、2015年两次获云南省标准化创新贡献奖,先后获得全国半导体材料标准优秀奖8项;先后承担国家科技支撑计划课题2项、国家863科技计划课题1项,省市级科技计划项目6项;拥有授权专利65件,其中发明专利23件。先后获得2014年度云南省技术发明一等奖、2011年度科技创业奖、云南省科学技术进步奖等各级科技奖励10余项。近年来,公司曾多次被省、市政府及相关部门评为“守合同重信用单位”、“科学技术进步单位”、“工商企业诚信单位”、“劳动关系和谐企业”、“云南省百户优强工业企业”、“云南省科技小巨人企业”等。品牌建设:公司注重品牌建设,注重产品质量的提高,以顾客满意为关注的焦点,并及时与顾客进行沟通,了解顾客的需求。于2002年向国家商标局申请注册了商标为“临鑫圆”牌的“二氧化锗,有机锗”产品,于2008年11月又申请注册了区熔锗锭的“临鑫”牌及重新注册了“临鑫圆”牌。云南锗业拥有1项中国驰名商标、1项云南省著名商标、2种省级名牌产品和2种云南省重点新产品。“临鑫圆LINXINYUAN及图商标”于2012年4月被国家工商行政管理总局商标局认定为中国驰名商标。“临鑫圆”牌区熔锗锭于2010年10月被云南省名牌战略推荐委员会认定为云南省名牌产品。“临鑫圆”牌高纯二氧化锗于2013年10月被云南省名牌战略推荐委员会认定为云南省名牌产品。“开盒即用高效太阳能电池用锗单晶片”和“有机锗-132”于2014年被评为云南省重点新产品。“临鑫圆”牌产品“二氧化锗,有机锗”于2010年被认定为云南省著名商标。
  • 发展进程: 本公司是由鑫圆有限整体变更设立的股份有限公司,本公司是目前国内锗产业链完整、锗金属保有储量大、锗产品产销量大的锗系列产品生产商和供应商。
  • 商业规划: 1、公司业务和产品公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发。目前公司矿山开采的矿石及粗加工产品不对外销售,仅作为公司及子公司下游加工的原料。公司目前材料级锗产品主要为锗锭(金属锗)、二氧化锗;深加工方面,光伏级锗产品主要为太阳能电池用锗晶片,红外级锗产品主要为红外级锗单晶及毛坯(光学元件)、锗镜片、镜头、红外热像仪、光学系统,光纤级锗产品为光纤用四氯化锗,化合物半导体材料主要为砷化镓晶片、磷化铟晶片。公司产品主要运用包括红外光电、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。截至期末,公司材料级锗产品锗锭产能为47.60吨/年,太阳能锗晶片产能为30万片/年(4英寸)、20万片/年(6英寸),光纤用四氯化锗产能为60吨/年,红外光学锗镜头产能为3.55万套/年,砷化镓晶片产能为80万片/年(2—6英寸),磷化铟晶片产能为15万片/年(2—4英寸)。2、经营模式公司生产部门根据各产品的市场需求情况,结合公司生产实际情况,制定生产计划,进行生产准备,并组织实施生产。所需原料由自有矿山供应及外购原料共同构成,辅助材料则由外部供应。全资子公司云南东昌金属加工有限公司、控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司原辅料全部从外部采购;下游深加工产品方面,公司分别设立子公司负责不同系列产品的生产。昆明云锗高新技术有限公司负责红外级锗产品生产,云南中科鑫圆晶体材料有限公司负责光伏级锗产品生产,武汉云晶飞光纤材料有限公司负责光纤级锗产品生产,云南鑫耀半导体材料有限公司负责化合物半导体材料生产。公司及子公司实行集中采购,对采购流程严格控制,对采购过程进行全程监督。公司所有产品销售均由销售部门负责,根据产品用途,将产品划分为材料级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品、光纤级锗产品、化合物半导体材料等,按照上述产品类别,分别在公司和负责上述产品生产的子公司设立市场营销部门负责各系列产品的销售。3、盈利能力目前,按产品类别来看,公司营业收入占比最大的仍为材料级锗产品。近年来,随着公司发展战略的逐步推进,公司整体产业结构重心逐步向下游深加工领域转移,材料级锗产品的销售占比总体呈下降趋势;与此同时,公司通过不断延伸产业链、发展深加工产品,希望通过下游精深加工产品、化合物半导体材料的销售保证公司赚取产业链中利润率相对较高的部分,因此,公司锗深加工产品、化合物半导体材料能否顺利拓展市场、释放产能,销售比重能否进一步提高,将会是驱动公司业绩增长的重要因素。1、概述2024年,光伏、红外领域对锗需求势头良好,锗价自二季度末快速上涨,创出历史新高。公司材料级锗产品价格明显上涨,红外级锗产品、光纤级锗产品等深加工产品价格随之上涨,但涨幅低于上游产品。随着下游低轨通讯卫星的需求增加,公司光伏级锗产品销量大幅增加,化合物半导体材料的销量也在光通信市场需求回暖下得到提升。2024年,公司实现营业收入76,740.19万元,实现归属于上市公司所有者的净利润5,309.56万元。(1)总体经营成果增减变动原因:营业收入本年度较上年度增加。主要系:产品价格变动增加营业收入8,325.31万元,其中:受锗金属材料价格上涨的影响,使得材料级锗产品、红外级锗产品(毛坯及镀膜镜片)、光纤级锗产品均价上升;单价较高的磷化铟产品销量占比增加使得化合物半导体材料均价上升;受产品结构占比的影响,红外级锗产品(镜头、光学系统)均价下降;受上半年签订的年度订单价格影响,光伏级锗产品均价下降。主要产品销售量变动增加营业收入1,217.20万元。其中:化合物半导体材料、光伏级锗产品、红外级锗产品(毛坯及镀膜镜片)销量上升;红外级锗产品(镜头、光学系统)、光纤级锗产品、材料级锗产品销量下降。营业成本本年度较上年度增加。主要系:产品单位成本变动,减少营业成本合计1,085.13万元,其中,受产量大幅增加及单位材料耗用量下降的影响,红外级锗产品(毛坯及镀膜镜片)、光伏级锗产品单位成本下降;受产品结构影响红外级锗产品(镜头、光学系统)产品单位成本下降;受原材料价格上升影响光纤级锗产品,材料级锗产品单位成本上升;受产品结构影响化合物半导体材料平均单位成本上升。主要产品销售量上升增加营业成本合计1,470.82万元。销售费用本年度较上年度增加。主要系本期公司加强化合物半导体材料、光伏级锗产品两个板块的市场开拓力度,使得业务宣传费等销售费用增加。管理费用本年度较上年度增加。主要系本期停工损失同比增加,以及通过绩效考核管理人员薪酬同比增加。研发费用本年度较上年度增加。主要系本期按计划开展的化合物半导体材料、光伏级锗产品、红外级锗产品等相关研发项目,根据《企业会计准则第6号-无形资产》以及公司研发费用资本化会计政策要求,除前期已进入开发阶段的电子级四氟化锗研究项目、KMYZ20210601项目,其余项目均未达到资本化的确认条件,发生的费用全部计入研发费用。财务费用本年度较上年度增加。主要系本期融资利息支出增加所致。其他收益本年度较上年度增加。主要系本期递延收益摊销计入其他收益的金额较上年同期增加所致。信用减值损失本年度较上年度减少。主要系本期计提的应收账款坏账准备金减少所致。资产减值损失本年度较上年度增加。主要系期末为部分产品计提的存货跌价准备较上年同期增加所致。所得税费用本年度较上年度增加。主要系本期公司及子公司云南东昌金属加工有限公司盈利增加所致。归属于母公司所有者的净利润本年度较上年度增加。主要系本期锗金属价格大幅上涨,公司材料级锗产品、红外级锗产品(毛坯及镀膜镜片)、光纤级锗产品价格上涨;单价较高的磷化铟产品销量占比增加使得化合物半导体材料均价上涨,使得公司整体毛利率上升9.58个百分点所致。少数股东损益本年度较上年度减少。主要系当期控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的经营亏损所致。(2)经营情况综述①产品生产情况2024年,公司及子公司生产材料级锗产品34.07吨(不含内部销售及代加工);生产红外级锗产品(毛坯及镀膜镜片)折合金属量6.65吨,生产镜头及光学系统1,828具(套);生产光伏级锗产品49.14万片(4-6寸合计);生产光纤级锗产品27.04吨;化合物半导体材料:生产砷化镓晶片8.75万片(1-6寸合计),生产磷化铟晶片6.44万片(2-4寸合计)。②严守安全环保红线,筑牢安全生产防线公司始终将安全生产置于首位,全面构建落实“党政同责、一岗双责”责任体系,通过分级管控、动态排查和全员培训等措施,系统性提升安全管理能力。全年组织多场安全专项培训及应急演练,覆盖全体员工,切实增强风险防范与应急处置能力。严格推进隐患排查治理,实现问题整改全覆盖,全年未发生重大安全事故。持续推进绿色生产转型,通过优化生产工艺与设备流程,确保污染物达标排放,显著降低废弃物产生量及综合能耗,实现安全环保与生产运营协同发展。③深化市场拓展,实现销售突破灵活调整营销策略,抓住国家战略机遇,深化与核心客户的战略合作,稳定并扩大市场份额。在严格遵守出口管制制度的前提下,优化了与海外客户的合作模式。针对细分市场需求特性,开发定制化解决方案,实现向高端市场渗透,材料级锗产品、光伏级锗产品、化合物半导体材料等产品销售收入稳步提升。④强化技术研发,推动创新转化以技术创新为核心,聚焦化合物半导体材料、锗深加工领域前沿技术攻关,深化产、学、研合作,推动多项关键工艺实现产业化应用。全年新增多项专利及国家标准制定成果,公司行业话语权不断增强。通过工艺优化与设备自动化升级,有效降低了生产成本,提升了产品性能,为市场竞争提供了坚实的技术支撑。⑤优化生产管理,深化降本增效持续推行精益生产模式,优化生产调度与工艺标准化改造,资源回收效率位居行业前列。通过动态管理,精准控制原料库存,减少资金占用。严控支出,提高资金利用效率。各子公司实施节能改造方案,节约能耗成果显著,降本增效成果显现。⑥完善内控体系,提升治理水平以完善内控体系为核心,通过制度优化与技术赋能双轮驱动治理效能提升。在合规管理方面,强化风险防控机制,严格执行关键岗位、重点业务环节的履职规范。在数字化转型方面,进一步推进采购、生产、销售流程信息化管控系统建设,实现业务流程数字化升级,有效缩短研发周期并为智能化转型提供技术支撑。同时深化内部监督机制,通过定期与不定期检查相结合的方式,持续开展子公司财务内审与内控执行督查,并建立动态修订机制,依据业务变化及时更新《内部控制管理手册》,填补管理漏洞,确保制度体系与业务实践深度契合。通过构建常态化内控完善机制与数字化管理闭环,实现风险防控能力与制度执行质量的同步提升,为公司可持续发展筑牢治理根基。⑦加强团队建设,激发人才活力着力构建“管理+技术”的双通道晋升体系,进一步完善绩效考核机制,激发员工创新潜能。全年公司开展质量、管理、安全等多领域专项培训,覆盖管理骨干与技术骨干。通过优化组织架构,精简冗余岗位,推行矩阵管理模式,提升了项目响应效率。通过深化产、学、研协作,联合高校培养复合型技术人才,选派骨干参与重点项目,试点项目组承包制,团队自主权扩大,研发成果转化周期大幅缩短,通过机制革新与资源整合,人才活力持续释放,为公司可持续发展提供核心动能。
财务指标
财务指标/时间
总资产(亿元)
净资产(亿元)
少数股东权益(万元)
营业收入(亿元)
净利润(万元)
资本公积(万元)
未分配利润(亿元)
每股净资产(元)
基本每股收益(元)
稀释每股收益(元)
每股经营现金流(元)
加权净资产收益率(%)
企业发展进程