普冉半导体(上海)股份有限公司
- 企业全称: 普冉半导体(上海)股份有限公司
- 企业简称: 普冉股份
- 企业英文名: Puya Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
- 实际控制人: 王楠,李兆桂
- 上市代码: 688766.SH
- 注册资本: 10560.9735 万元
- 上市日期: 2021-08-23
- 大股东: 王楠
- 持股比例: 18.76%
- 董秘: 钱佳美
- 董秘电话: 021-60791797
- 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
- 会计师事务所: 立信会计师事务所(特殊普通合伙)
- 注册会计师: 陈科举、周成
- 律师事务所: 上海贤云律师事务所
- 注册地址: 中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)
- 概念板块: 半导体 上海板块 百元股 沪股通 融资融券 预盈预增 机构重仓 基金重仓 存储芯片 汽车芯片 无线耳机 华为概念 小米概念 国产芯片 智能家居 智能穿戴 物联网
企业介绍
- 注册地: 上海
- 成立日期: 2016-01-04
- 组织形式: 大型民企
- 统一社会信用代码: 91310000MA1K35P57Y
- 法定代表人: 王楠
- 董事长: 王楠
- 电话: 021-60791797
- 传真: 021-61347010
- 企业官网: www.puyasemi.com
- 企业邮箱: ir@puyasemi.com
- 办公地址: 中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)
- 邮编: 201210
- 主营业务: 非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售
- 经营范围: 半导体、集成电路及相关产品的开发、设计、销售;网络科技、计算机技术领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;从事货物及技术的进出口业务。
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企业简介:
普冉半导体(上海)股份有限公司成立于2016年,总部位于上海张江高科,在深圳、韩国设有销售和现场应用服务与支持中心,同时在苏州设有研发中心;在日本、英国、德国等多地拥有代表处。
2021年8月,公司在上海证券交易所科创板上市,股票代码688766。
公司目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、微控制器芯片及模拟产品。
产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。
公司聚焦领先的非易失性存储器芯片,凭借超低功耗和高可靠性的产品优势,积累了良好的品牌认可度,成为全球NORFlash和EEPROM的主要供应商之一。
公司产品广泛应用于三星、OPPO、vivo、小米、联想、惠普、亚马逊、美的、海内外汽车客户等品牌厂商。
基于存储器技术优势,公司于2021年推出“存储+”战略,积极拓展MCU及模拟芯片领域,依托公司在存储领域的技术优势和平台资源,实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。
与此同时,公司大力推进海外业务布局,坚定国际化战略路线,已经实现在日、韩、美等多家知名大客户导入,产品应用领域覆盖消费、工控、光伏及车载等,增强了在全球市场的影响力。
公司以“普冉之芯,造福世界”的愿景,专注于产品创新,围绕非易失存储器领域,在继续完善和提升非易失性存储器产品线的同时,有效推进“存储+”战略,实现微控制器和模拟产品线的高速发展,不断满足客户对高性能芯片产品的需求,在持续经营中实现企业的技术积累,保障公司经营业务的可持续发展。
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商业规划:
公司秉承“普冉之芯,造福世界”的愿景,始终坚持“持续创新、卓越品质、恒久伙伴、信守承诺”的核心价值观,专注于集成电路设计领域的科技创新,围绕非易失存储器领域,以先进工艺低功耗NORFlash和高可靠性EEPROM为核心,完善和优化产品,满足客户对高性能存储器需求,实现对工业和车载应用的支持。
在立足于存储芯片领域的基础上,实施基于先进工艺和存储器优势的“存储+”战略,积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。
现将2024年公司的整体经营情况总结报告如下：(一)经营生产方面2024年,公司所处的半导体设计行业景气度有所回升,存储行业的温和复苏与结构性增长并存。
下游市场需求带动下市场回暖,公司把握契机,不断开拓市场领域和客户群体,同时根据客户需求及时进行技术和产品创新,持续丰富和优化产品品类和结构,公司营业收入达到成立以来的新高。
在产品线布局方面,随着公司近年持续高投入的研发项目逐步落地,公司快速把握新增领域增量市场机遇,提高新产品市场渗透率,市场地位和竞争优势进一步提高。
报告期内,公司实现营业总收入180,356.97万元,较上年同期增加60.03%,实现归属于母公司所有者的净利润29,241.66万元,较上年同期增加34,069.09万元,实现扭亏为盈；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润26,926.79万元,较上年同期增加33,415.10万元。
(二)研发创新方面公司始终坚持高强度研发投入,重视产品研发创新和工艺深化,推进核心技术自主研发。
报告期内,公司投入研发费用24,196.72万元,占营业收入的比例达到13.42%,较上年同期增长26.49%。
通过持续增加的研发投入,公司整体研发能力快速提升,原有产品迭代并实施性能优化,新产品按计划实现量产,产品竞争力和覆盖面进一步增强。
截至报告期末,公司研发及技术人员较上年同期增加15.53%,公司新申请专利及获得专利数持续增长。
存储产品线方面的持续优化：1、Flash产品方面：SONOS与ETOX工艺互补、提供领先的存储解决方案1)SONOS工艺40nm节点下Flash全系列产品广泛覆盖智能可穿戴市场,并继续探求更低功耗、更高性价比,竞争力持续提升。
2)基于ETOX工艺平台并结合既有的低功耗设计,形成了50nm及55nm工艺下中大容量的完整布局、适用于不同电压的ETOXNORFlash完整产品线,并拓展到行业领先的下一代制程。
目前公司的ETOX产品已在可穿戴设备、安防、工控、商用等领域形成规模量产出货,并将在未来成为公司成长的主要动力之一。
3)报告期内,公司的ETOX产品获得了AEC-Q100国际权威第三方考核认证。
2、EEPROM产品方面：高可靠性产品覆盖车载和工业,低功耗领域继续领先公司的高可靠性EEPROM产品目前覆盖了手机摄像头模组、可穿戴设备、工业和车载领域。
其中,报告期内,SPIEEPROM全系列产品通过AEC-Q100Grade1国际权威第三方考核认证。
“存储+”系列产品方面的拓展：1、微控制器：向下扎根,向上成长1)公司借助设计与工艺的协同优势,在先进逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术,并构建通用高性能和高可靠性的MCU产品平台。
截止2024年末,公司MCU产品已成功量产5大产品系列、百余款MCU产品供市场选择。
2)2024年,公司的MCUM0+产品系列,在运行功耗和待机功耗上均有效降低,实现了高可靠性和低功耗并重。
MCUM4产品提升了系统在复杂环境下的可靠性与响应能力,更适用于电机控制、智能穿戴、电池管理系统（BMS）、IOT等应用领域。
2、模拟产品：形成对存储器产品线和微控制器产品线的有效协同1)报告期内,OISVCMDriver产品在国内终端实现量产,满足以手机应用为主的核心客户需求。
在此基础上,公司推出新一代OISVCMDriver产品,更新升级了具有普冉专利的音圈马达防抖控制算法与客户定制的专有功能,为未来的快速增长做好了准备。
2)2024年,MCU与预驱一体式的电机驱动控制芯片实现量产和规模化应用。
马达驱动控制芯片广泛用于运动控制、电动工具、园林工具、白色家电、智能小家电等应用场景。
(三)产能保障方面公司一直以来和上游晶圆厂、封测厂保持长期良好的战略伙伴关系,建设高弹性、低成本、可持续的供应链体系,是运营工作的重点。
一方面,公司与供应商进行提前规划,动态调整产能分配,进行技术和运营方式上的改革创新,积极应对供应链资源和成本上的挑战；另一方面,持续推进既有产品和新产品领域的供应商考评和引入,进一步加强产能保障,多元化和深度协同并举,满足客户对供货安全和产品多样性、及时性的需求。
(四)团队建设方面优秀的人才团队是技术密集型公司的核心竞争力之一。
公司着重人才培养与团队建设,通过建立、健全公司长效激励机制,保障企业未来的长足发展。
一方面,公司持续加大人才投入,积极扩充研发团队,并通过与高校的联合培养,形成梯队型的人才结构和储备。
另一方面,公司根据市场情况完善薪酬激励体系和其他福利体系,建立有效的内部培养的机制,并为员工提供更多职业发展空间。
2024年,公司继续实施了股权激励计划,各期激励计划的激励对象覆盖率已达全体在职员工的70%以上,有效激发了员工的奋斗精神,也使员工感受到公司成长带来的回报和个人成就的提升。
(五)内部治理方面公司持续推进治理体系建设,强化风险管理,推行内部审计。
通过公司流程、系统建设和定期培训不断提升管理和内部控制水平,确保生产经营业务稳健发展。
报告期内,公司始终严格按照上市公司规范运作的要求,严格履行信息披露义务,重视信息披露管理工作和投资者关系管理工作,重视制度治理和规范运作,法人治理水平和规范运作水平进一步提升。
公司通过在官网上开设“投资者关系”专栏、召开业绩说明会等举措强化和投资者的沟通,积极听取投资者诉求和建议,在注重生产经营的同时,重视维护股东利益,通过资本公积转增及现金分红等手段,尽力回报股东和投资者。
报告期内,公司在半年度盈利的基础上,以2024年半年度实施权益分派方案的股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数,向全体股东每10股派发现金红利1.90元（含税）。
此外,本报告期,公司拟以2024年度实施权益分派方案的股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数,向全体股东每10股分派现金红利4.30元（含税）,以资本公积转增4股。
该利润分配方案已经公司第二届董事会第十五次会议审议及第二届监事会第十五次会议通过,还须经股东大会审议。
二、报告期内公司所从事的主要业务、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明(一)主要业务、主要产品或服务情况主要业务情况公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售,目前主要产品包括：NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。
其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。
例如,根据存储需求的不同,公司的NORFlash产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域。
EEPROM产品应用于摄像头模组（含手机、笔电和新能源车及传统汽车、3-D）、智能仪表、工业控制、汽车电子、网络通信、家电等领域。
微控制芯片（MicroControlUnit,简称MCU）主要为基于ARMCortex-M系列32位通用MCU产品,可广泛应用于智能家电、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（VoiceCoilMotorDriver,简称VCMDriver）,目前提供独立和存储二合一两类开环类音圈马达驱动芯片产品,主要应用于摄像头模组（含手机和非手机）,公司基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展,正持续研发光学防抖音圈马达驱动芯片产品。
公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年,凭借其低功耗、高可靠性的产品优势,在下游客户处积累了良好的品牌认可度,成为了国内NORFlash和EEPROM的主要供应商之一。
在此基础上,公司实施“存储+”战略,积极拓展微控制器及模拟芯片领域,依托公司在存储领域的技术优势和平台资源,实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。
与此同时,公司持续推进海外业务布局,实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入,产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载,增强了在全球市场的影响力。
主要产品或服务情况1、存储系列芯片报告期内,公司实现存储系列芯片营业收入14.17亿元,同比上升40.10%,毛利率34.61%,同比上升10.62个百分点,出货量67.72亿颗,同比上升33.09%。
（1）NORFlash产品NORFlash具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。
作为数据读取和存储的重要器件,其主要功能是数据的存储和读取,同时实现开机启动等固定运行的程序。
由于NORFlash不必把应用程序代码读到系统RAM中即可直接运行,使得NORFlash在运行程序时优势更显著,适用于开机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。
基于NORFlash上述应用特点及性价比优势,其被广泛应用于手机,电脑,可穿戴等消费类电子、汽车电子、安防、工控、基站、物联网设备等其他领域。
公司NORFlash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构,提供了512Kbit到1Gbit容量的系列产品,覆盖1.1V-3.6V的操作电压区间,具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能,公司NORFlash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控制等相关市场。
目前NORFlash行业主流工艺制程为55nm,公司40nmSONOS工艺制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产,处于行业内领先技术水平。
图：公司NORFlash产品公司40nm工艺节点已成为公司SONOS工艺结构下NORFlash产品的主要工艺节点,能够进一步提高公司产品的成本优势,同时更好的满足下游应用的面积需求。
此外,公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构,提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品,已达到50nm的先进制程并继续向下迭代,目前已经实现了全容量系列产品的大批量量产出货。
未来将继续通过工艺研发和设计创新实现产品完备化,实现公司在大容量市场的快速导入,持续提升公司在NORFlash领域的市场占有率。
公司中小容量SONOSNORFlash车载产品已陆续完成AEC-Q100认证,主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。
同时,公司全容量ETOXNORFlash系列产品通过AEC-Q100车规认证,为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础,打开了更加广阔的市场空间。
公司推出的超低电压超低功耗新一代SPINORFlash系列新产品,支持1.1V电源系统,同时具备宽电压范围,可涵盖1.2V和1.8V系统,该产品系列计划覆盖4Mbit-128Mbit的容量区间,应用于基于嵌入式SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。
同时,在NORFlash多款产品封装可靠性上进一步优化。
（2）EEPROM产品EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片,在断电情况下仍能保留所存储的数据信息,可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程,可擦写次数至少100万次,数据保存时间超过100年。
该类产品相较于NORFlash的容量更小、擦写次数高,因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求,广泛应用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电等领域。
公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列,操作电压覆盖1.2V-5.5V,主要采用130nm工艺制程,具有高可靠性、面积小、性价比高等优势,同时实现了分区域保护、地址编程等功能,可对芯片中存储的参数数据进行保护,避免数据丢失和篡改,可擦写次数可达到400万次,数据保持时间可达200年。
公司部分中大容量产品采用95nm及以下工艺制程下并已实现量产,公司EEPROM产品P24C系列满足1000万次擦写寿命,100年数据保存的高可靠性要求。
图：公司EEPROM产品公司持续推进EEPROM产品在工业控制和车载领域的应用,工业控制上应用占比显著提升,对稳定公司毛利率起到一定作用；同时,公司车载产品完成AEC-Q100标准的全面考核,在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付,汽车电子产品营收占比有所提升；同时公司持续推进EEPROM产品全系列的车规认证。
公司超大容量EEPROM系列产品,支持SPI/IC接口和最大4Mbit容量,其中2Mbit产品批量用于高速宽带通信和数据中心。
与此同时,公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货,涵盖32Kbit至512Kbit,是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。
2、“存储+”系列芯片报告期内,公司实现“存储+”系列芯片营业收入3.86亿元,同比上升234.58%,毛利率29.63%,同比上升2.75个百分点,出货量8.70亿颗,同比上升213.79%。
（1）MCU产品MCU是微控制单元,又称单片机,是把CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减,并将内存、计数器、USB、A/D转换、DMA等周边接口,甚至包括TFT、LCD、LED驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算机,可广泛应用于各类消费电子产品,如智能可穿戴设备、电机与电池、传感器信号处理、家电控制、计算机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。
图：公司MCU产品公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势,布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品。
截止2024年末,公司已成功量产5大产品系列、百余款MCU产品,覆盖55nm、40nm工艺制程,产品支持24MHz~144MHz主频、24KByte~384KByteFlash存储容量、USB/CAN/SDIO等主流接口,以及20~100IO的多种封装形式,形成宽电压、低功耗、支持105℃及125℃高温等高质量、高可靠性、高性价比通用产品矩阵。
产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域,国产替代趋势下持续导入空间较大。
公司通过扩充相关支持团队等方式持续推进MCU生态环境建设,如重要客户方案设计、FAE现场支持、工具开发、驱动程序推出、客户开发环境、网站支持等方面都积极配合实施推广。
报告期内,ARMKEIL和IAR已全面支持公司32位M0+及M4系列MCU,并同步为客户提供完整的开发代码编辑、编译、调试等功能。
报告期内,公司从功能开发、性能升级、使用场景多样化、封装形式全覆盖等多个角度持续拓展MCU产品系列,并逐步导入消费电子、工业控制等众多下游应用终端中,具体如下：1）公司基于ARM内核研发了超低功耗型M0+MCU产品,该系列产品支持48MHz主频,深度休眠模式下功耗低至0.7μA,目前该产品已经量产,主要应用于家电、灯控、无线麦克风、电子烟等消费电子领域；2）公司基于ARM内核的M4MCU产品目前已有1个系列10余颗料号量产出货,产品主要应用于智能家居、小家电、舞台灯光等下游领域；3）公司基于ARM内核研发了电机专用型M0+MCU产品,覆盖单相至三相、低压至高压、中低端至高端风机和水泵应用,提供自主知识产权的高效率基础算法和客户应用软硬件支持。
目前该产品中7个系列已经量产,主要应用于电动工具、风筒、水泵等下游应用领域；4）公司基于家电控制和消费电子触控功能领域研发了相关高性能触控技术MCU芯片产品,目前已进入量产。
（2）模拟产品VCMDriver芯片音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置,音圈马达驱动芯片（VCMDriver）为与音圈马达匹配的驱动芯片,主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。
目前,开环式、闭环式、光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品,主要应用于手机摄像头模组领域。
公司内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品量产,支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品也已量产出货。
该系列产品可有效降低产品功耗,缩小芯片面积,以顺应各类智能终端轻薄化的发展趋势。
同时,公司中置音圈马达驱动芯片也已经大批量出货,依托EEPROM产品的客户资源优势,实现下游的顺利交付。
此外,公司结合行业发展趋势,与终端密切配合,研发的新一代VOIS（光学防抖音圈马达驱动）芯片实现量产,OIS芯片也在手机和安防客户端批量交付。
公司VCMDriver产品能与EEPROM产品形成良好的协同效应,提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率。
(二)主要经营模式公司的主要经营模式为Fabless模式,该模式下公司仅需专注于从事产业链中的集成电路的设计和销售环节,其余环节委托给晶圆制造企业、晶圆测试企业和芯片封装测试企业代工完成。
1、研发模式在Fabless模式下,产品设计研发环节是公司运营活动的核心。
公司紧密跟踪与了解市场需求,通过可行性分析和立项,将市场现时或潜在应用需求转化为研发设计实践,通过一系列研发工作,将研发设计成果体现为设计版图,最终经由晶圆代工厂、晶圆测试厂和封装测试厂的配合完成样品的制造、测试和封装,达到量产标准。
公司与主营业务相关的核心专利均属公司所有。
2、采购与运营模式在Fabless模式下,公司专注于集成电路的设计和销售,而晶圆制造、晶圆测试、芯片的封装测试通过委外加工方式完成。
其中,公司委托晶圆代工厂进行晶圆制造,委托晶圆测试厂进行晶圆测试服务,委托封装测试厂进行封装测试服务。
3、销售模式公司采用“经销+直销”的销售模式。
经销模式下,经销商根据终端客户需求向公司下订单,并将产品销售给终端客户；公司与经销商之间进行买断式销售,公司向经销商销售产品后的风险由经销商自行承担。
直销模式下,终端客户直接向公司下订单,公司根据客户需求安排生产与销售。
公司产品的定价机制是根据存储器芯片市场价格与客户协商定价。
根据产品形态的不同,公司销售产品可以分为未封装晶圆（KnownGoodDie,即KGD）和成品芯片,其中未封装晶圆主要销售给采用SIP系统级封装方式生产的主控芯片厂商。
两种形态的产品在芯片电路、制造工艺等方面不存在差异。
图：未封装晶圆图：成品芯片(三)所处行业情况1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛（1）公司所处行业公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售,根据中国证监会《上市公司行业分类指引》,公司所处行业为“C制造业——C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
根据《国民经济行业分类（GB/T4754—2017）》,公司所处行业为“6520集成电路设计”。
（2）所处行业情况集成电路行业作为全球信息产业的基础,经历了60多年的发展,如今已成为世界电子信息技术创新的基石。
集成电路行业派生出诸如5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用,成为现代日常生活中必不可少的组成部分。
集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业,属于资本与技术密集型行业,业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。
近年来,得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动,全球半导体行业呈现出快速发展的态势。
作为现代信息技术产业的核心,半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域发挥着不可替代的作用,其重要性日益凸显。
此外,随着智能汽车、AI大模型等新兴场景的涌现,对存储需求的增长提供了强劲动力。
存储技术升级和容量提升将进一步推动行业发展。
技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动全球半导体行业快速发展。
中国作为全球最大的半导体市场之一,其半导体产业规模不断扩大,技术水平逐步提升,一批具有国际竞争力的企业开始逐步崭露头角。
尽管如此,在部分高端芯片、关键设备等领域,与全球领先水平相比,我国仍存在明显差距。
为提升中国半导体产业的自主创新能力,实现核心技术突破,国家出台了一系列扶持政策,国产替代势在必行。
过去两年时间,宏观经济增长疲软对行业带来了一定的冲击,但随着经济的温和复苏,半导体行业将重新焕发活力,在国产替代的大浪潮下,继续保持增长态势。
2024年,存储芯片行业的市场需求有所复苏,主流存储器价格持续上涨；同时由于供给收缩和需求逐步复苏,利基存储器价格也有所修复,对企业带来业绩改善机会。
研究机构IDC预估,2024年全球半导体营收有望回升至6302亿美元,增长20%。
存储市场增长最强劲,增幅达52.5%,2025年将再增长14.4%。
同时在AI、运算基础设施、汽车、HBM及Chiplet驱动下,2029年半导体营收有望逼近1万亿美元规模,2032年将增长至超过1万亿美元。
存储芯片需求不断提升,这对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功耗等方面都提出了更高的要求。
随着经济的复苏和技术的进步,在政策的持续扶持和市场的推动下,中国半导体行业有望实现快速发展。
我国优秀企业也将努力追赶,不断缩小与国际先进水平的差距,为全球半导体产业的繁荣作出贡献。
（3）主要技术门槛集成电路设计行业是典型的技术密集、知识密集和资本密集型行业,拥有较高的行业准入壁垒,行业产品具有高度的复杂性和专业性,在电路设计、软件开发等方面对创新型人才的数量和专业水平均有很高要求。
由于国内行业发展时间较短、技术水平较低,高端、专业人才仍然十分紧缺,和国际顶尖集成电路企业相比,国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。
国内同行业的厂商仍处于成长的阶段,与国外大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。
因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路设计行业的发展。
就公司产品涉及的技术来看,存储器芯片产品的标准化程度较高,差异化竞争较小,因此工艺水平创新和研发技术升级是存储器芯片公司的核心竞争力体现,存储器芯片的工艺水平创新可以使得公司在优势领域保持领先性。
同时,工艺创新及研发技术升级还体现在工艺制程和产品性能两方面。
工艺制程方面,受限于摩尔定律及底层架构技术的应用,向更高制程迭代需要公司在工艺设计、专利等知识产权、底层架构授权等方面具备坚实的技术储备,而综合芯片设计的研发周期、不同工艺下的制造周期、产品的市场销售周期等因素,NORFlash和EEPROM的产品迭代周期为3-5年,这要求公司在擅长领域持续投入研发；产品性能方面,合格的芯片产品需要在功耗、可靠性、读取速度、寿命等性能指标满足市场要求,并不断进行指标上的突破和优化,能适用于市场上种类繁多的各种电子系统,因此芯片设计公司需要具备从芯片工艺、电路、到系统平台等全方位的技术储备。
行业内的新进入者缺乏先发优势以及客户资源优势,往往需要经历较长一段时间的技术摸索和积累时期,此外,由于终端客户出于对供应商可持续发展能力及产品平台优势等因素的综合考量,新进企业需要大力更新竞争优势和创新技术,才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。
MCU领域的设计人员需要熟悉各类硬件架构、指令集、接口、协议等,以创建高效、可靠且功能丰富的MCU产品,同时要求其具备深入理解低功耗设计、电磁兼容性、热设计等方面的综合专业能力。
同时,行业考验企业对硬件、软件的开发和设计能力,以及其建立起来的生态环境成熟度,确保产品能够执行复杂的指令和算法,同时与各类外部设备和系统进行交互,从而在各种应用场景中能够稳定、高效运行。
上述门槛共同构成了MCU行业的技术壁垒,需要企业持续投入研发,积累市场洞察力才能应对。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况（1）NORFlash行业公司是中国大陆主要的NORFlash存储器芯片供应商之一。
据Web-FeetResearch报告显示,在2023年NORFlash市场销售额排名中,公司位列全球第六。
2024年全年,公司NORFlash产品线出货量突破历史新高,累计出货量超49亿颗。
从工艺水平来看,公司作为行业首家采用电荷俘获的SONOS工艺设计NORFlash的公司,充分发挥产品的性价比、体积、功耗、读写速度等优势。
在工艺节点上,基于SONOS工艺的平台特点,公司第二代40nm制程产品已经成为量产交付主力,实现了升级替代。
相对于行业主流的ETOX55nm工艺制程,SONOS40nm节点下的NORFlash产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平,更优的性价比优势,处于行业领先水平。
从细分市场来看,公司NORFlash产品在512Kbit-128Mbit以内的中小容量市场具备竞争优势,占据较大的市场渗透率。
此外,公司基于ETOX传统工艺,持续开发256Mbit及以上大容量产品的研发设计,目前公司256Mbit-1Gbit产品已经量产,并持续推进客户拓展。
至今为止,公司可以提供基于两种工艺平台的全系列NORFlash产品线,为客户提供更好的平台化服务。
未来,公司将在全容量范围领域加速布局NORFlash产品,基于原本擅长的消费电子领域,持续推进5G、工控、车载电子等更多的高端应用领域,进一步提升公司在NORFlash领域的行业地位。
（2）EEPROM行业公司深耕于EEPROM行业,具备丰富的产业经验和深厚的技术积累,在芯片设计上实现了更高的可靠性以及分区域保护、地址编程等功能。
同时,基于对芯片的制造工艺的深度了解,研发团队在行业主流的130nm工艺制程基础上对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化,实现95nm及以下制程产品量产,降低了公司EEPROM芯片面积,提高了产品的成本竞争优势。
近年来公司的EEPROM出货量呈现明显的增长。
据Web-FeetResearch报告显示,在2023年EEPROM市场销售额排名中,公司位列全球第六。
2024年全年,公司EEPROM产品线出货量突破历史新高,累计出货量超17亿颗。
从应用领域来看,聚辰股份和公司的EEPROM主要应用于摄像头模组。
多摄像头配置拉动下游智能终端市场增长,进而带动EEPROM市场需求增长,公司现已成为国内外摄像头模组市场中主要的EEPROM供应商,在该领域保持着较强得产品竞争力。
从产品体系来看,公司和国内外竞争对手,产品阵列差别不大。
但由于该产品线推出时间较晚,与各大海外大厂,如意法半导体、安森美等,在汽车电子、工业控制领域的客户资源积累仍然存在差距,尚未形成具有较强竞争力,仍有进一步提升的空间。
2024年公司在工控、车规、商用领域的客户推进均取得了进展。
伴随着公司在海内外市场的业务铺设和开展,以及公司EEPROM产品在工业控制及车载电子领域的大力拓展,公司的EEPROM出货量有望持续攀升,公司在EEPROM领域的行业地位有望得到进一步的巩固和提升。
（3）MCU行业作为国内领先的非易失性存储器芯片供应商,公司借助设计与工艺的协同优势,在先进逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术,并构建通用高性能和高可靠性的MCU产品平台。
公司自主研发的IP使得产品具备芯片尺寸、功耗及读取速度等应用特性优势,以及存储器擦写及数据保持时间等可靠性优势。
同时,公司作为全球极少数掌握工艺技术的Fabless厂商,先进工艺开发和演进能力结合设计优势,构筑了行业领先的成本控制能力和面向通用产品领域的长期竞争力。
公司于2022年初向市场全面推出MCU。
历经三年,公司MCU产品总出货量已突破11亿颗,实现了市场的快速获取,逐步树立了市场品牌形象,获得了多领域、多客户的认可。
公司通用MCU产品采用M0+及M4内核,提供全系列宽电压、工业温度范围(-40℃~85℃和-40℃~105℃)产品,以消费类为主,工业及其他应用功能为辅,并部分支持125℃应用。
通用MCU业务涵盖智能硬件、影音、家电、物联网、个人护理、BLDC无刷电机（风机及水泵）、BMS、电动自行车、家用医疗、逆变器、安防、消防、车载后装及汽车电子周边等。
后续公司将以消费类应用为基盘,加大工业应用领域投入和成长,为长期的高端应用市场打下基础。
从行业格局来看,国内MCU芯片市场主要被瑞萨电子、恩智浦、意法半导体等国外厂商占据,从国产化率来看,国产替代仍有较大空间。
相较于全球MCU市场的格局的区别,国内MCU厂商主要集中于消费市场,在工业和汽车电子领域的占比较低,公司目前在工业和汽车电子领域尚未形成具有较强竞争力的产品,公司产品市场和竞争力仍有较大的拓展机会。
从产品系列和生态环境建设来看,公司对比瑞萨电子、恩智浦、英飞凌、意法半导体等行业头部厂商依旧有较大差距,公司已持续布局软硬件开发和生态建设投入,未来公司竞争力具备较大提升空间。
虽然MCU市场竞争者较多,但前排的优质企业都具备自身的核心竞争优势,且坚定持续投入发展。
未来,公司将持续进行工艺升级、发挥工艺优势及成本管控优势,提升产品竞争力,以获取市场份额及行业地位的进一步提升。
（4）VCMDriver行业公司作为VCMDriver行业的新入局者,依托于产品本身及可协同客户资源,已经实现独立开环及存储二合一产品的大量出货,主要应用于摄像头模组（CCM）,与公司原本的EEPROM产品下游CCM领域形成出货协同,可以更好的满足下游终端客户的需求。
同时,公司基于存储、模拟及传感器技术研发VOIS和OIS光学防抖产品,均已实现小批量出货（VOIS指不带MCU的分体式光学防抖,OIS指带MCU的一体式光学防抖）同时,公司的OISVCMDriver产品在国内终端实现量产,满足以手机应用为主的核心客户需求。
从产品体系来看,公司目前的出货主力由入门级的开环产品,逐渐向光学防抖系列升级,但尚未形成品牌知名度,与韩国动运、罗姆半导体、旭化成、安森美、聚辰股份、天钰科技等目前全球市场上的音圈马达驱动芯片头部厂商具有一定的差距。
公司凭借核心研发团队所具备的模拟设计基因,实现了模拟芯片产品探索的第一步。
但公司在逐步向平台型公司过渡的过程中,和行业模拟公司产品推出的时间、下游客户积累等均存在差异,后续产品本身及市场导入仍然存在较大提升空间。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势（1）新技术NORFlash：公司是业界首家创新性采用SONOS工艺设计量产NORFlash的厂商,相较传统的浮栅技术,SONOS电荷俘获技术在芯片尺寸、功耗、性价比方面具备优势。
制程方面,公司第二代40nm制程系列产品已经成为出货主力,显著提升了产品性能和成本效益。
相比主流厂商较为先进的55nm制程,公司40nm工艺制程使其在中小容量市场份额快速提升。
容量方面,公司采用创新工艺SONOS平台,研发出256Kbit~128Mbit全系列产品,体现了公司工艺水平和设计能力的高效融合能力。
同时,基于SONOS工艺平台,公司研发成功并推出1.1V超低电压超低功耗NORFlash产品,具备宽电压范围,可涵盖1.2V和1.8V系统,体现了公司在低功耗技术方面基于SONOS工艺平台的持续创新。
EEPROM：制程方面,公司采用95nm及以下工艺制程,通过优化存储单元的机构和擦写电压,有效的缩小了芯片面积,同时在保证可靠性的前提下降低了芯片的单位成本。
产品性能方面,公司在EEPROM产品中增加了分区域保护和地址编程等功能,以支持智能手机的不同摄像头参数和同意摄像头不同参数的有效管理。
此外,公司EEPROM产品P24C系列满足1000万次擦写寿命,100年数据保存的高可靠性要求,其产品性能达到业界领先水平。
MCU：发挥公司深厚的存储芯片设计经验,公司利用先进的逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术,构建了通用高性能和高可靠性的MCU产品平台。
这一自研FlashIP使得公司产品在性价比、低功耗、体积等方面可以延续存储器的特异性优势,构建了公司在MCU领域的竞争壁垒。
同时,公司的MCU产品在设计时考虑到电磁兼容性（EMC）,确保了产品在各种电磁环境下都能稳定运行。
此外,通过优化电路布局和使用专门的保护器件,公司MCU产品能够有效的抑制外部干扰,保持数据完整性和系统稳定性。
（2）新产业随着物联网、5G通信、人工智能新兴技术的快速发展。
公司积极布局下游相关产业,拓展产品应用领域。
公司的存储和MCU等芯片均为通用芯片,在各类智能电子领域,如智能家居、可穿戴设备、工业自动化、汽车电子、服务器、基站、光模块等领域,均得到了广泛应用。
公司NORFlash大容量产品将推广和应用于智能音频/音响、传统/AI服务器、新能源车智能驾驶、ADAS系统、中央域控等场景,为公司在存储器市场打开了新的成长空间。
随着AI软件升级,智能化程度提高,智能终端渗透率提高,终端设备出货量也将相应的大幅增长,同时将带动上游电子硬件用量的大幅增加。
未来随着AI硬件的智能化兴起,公司出货量及容量等级均会有一定量级的提升。
（3）新业态公司积极响应数字化转型和智能化升级的驱动,利用大数据、智慧系统等现代信息技术,优化研发、管理、销售、财务等各个环节,不仅提高了公司的运营效率,也为客户提供了更加及时、准确的服务反馈,从而推动新业态形成。
其次,公司注重与产业链上下游企业合作,支持国产合作伙伴的自主发展,共同打造产业生态圈。
通过与上游代工厂共同优化工艺平台、产线,与国产EDA厂共同实践EDA工具等,提高了公司的综合竞争力,也为行业做出贡献。
（4）新模式“存储+”战略构建平台发展新模式：公司基于原本的存储战略产品条线,扩展存储+战略,新增的MCU及模拟产品条线扩展了公司原本的产品线,可以为客户提供更加全面的产品组合选择。
同时,MCU不同于原本的存储器产品,在芯片硬件的基础上,还需要对软件等方面的设计,以及生态方面的建设投入持续性力量。
公司的存储器产品采用“直销+经销”相结合的方式。
公司推出MCU产品后,和下游方案设计商保持良好的合作关系,基于公司性能过硬的产品,借助方案设计上的软件设计能力,相互协同,软硬结合,为下游客户提供完整的产品方案。
后随着公司团队的不断完善,软件设计团队、FAE团队的不断扩充,目前可以为客户提供完备的应用解决方案。
此外,公司自主开发KEIL/IAR/GCC等工具驱动文件及开发板、PY-LINK等,且与多家烧录器厂商紧密合作,为客户提供多种烧录选择。
公司还提供完整的HAL/LL库文件及相应的例程、使用手册、数据手册、参考手册、应用文档等技术资料,给予客户全面的软硬件支持及配套资料,使得公司的MCU潜力可以被开发者充分挖掘,从而高效快速地推进项目,加速客户产品开发周期。
(四)核心技术与研发进展1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。
设计及工艺技术指该类核心技术主要在设计和工艺阶段,可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用于某一类产品线,该类技术也可能出现跨产品线应用的情况。
报告期内,公司在存储器芯片领域持续拓展,进行40nm以下新一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备,推出1.1V超低电压超低功耗创新技术,并在存储领域延展ETOX工艺技术开发中大容量NORFlash产品系列,布局“存储+”战略,包括基于ARM内核的32位MCU芯片多个系列上百种型号的产品实现研发量产出货,以及应用于摄像头模组的高性能VCMDriver芯片系列模拟产品。
相关的核心技术如下：A.存储器芯片相关核心技术（1）超低功耗设计通过模拟及混合信号电路设计,实现全差分低幅度的灵敏放大器,高速的双沿采样实现读取数据的低功耗；结合数字电路的优化,芯片手表及品牌TWS耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优势。
在芯片擦写电路设计中,采用非离散域控制方法,实现较低的输出抖动和较低的动态功耗。
（2）宽电源电压设计公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵设计技术,产品支持1.65V至3.60V工作电压范围。
公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的Flash产品,满足了低功耗蓝牙在电池系统供电下与主流SoC配合的供电范围要求。
（3）超低电压设计公司推出的1.2VEEPROM系列产品,支持最低1.1V工作电压；这是基于超低电压的模拟及存储器技术。
（4）高可靠性设计公司采用特殊器件和温度补偿电路,实现擦写电压的零温度系数,在相同工艺条件下,公司的EEPROM产品擦写寿命可达400万次。
（5）面向封装的可靠性设计公司的WLCSP产品均采用自主知识产权的划片槽技术,能有效避免生产过程中带来的裂片风险,在手机模组应用的WLCSP存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留,满足摄像头模组的可靠性要求。
（6）面向产品灵活性和竞争力的设计公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术,实现产品软件配置可调而支持多地址、多接口的应用。
B.工艺研发及优化的核心技术存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。
存储单元方面,目前NORFlash的主流基础工艺包括浮栅ETOX和电荷俘获的SONOS工艺结构,为芯片设计企业提供了不同的存储单元结构选择；外围电路方面,芯片设计企业在确定基础工艺后,结合存储单元结构特性和产品功能需求进行复杂的外围电路设计,外围电路设计技术的不同决定了NORFlash性能的差异化。
因此,存储单元结构是芯片设计的基础,电路设计的核心技术是决定产品性能的关键因素,是不同芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源,帮助企业形成自身的产品竞争优势和核心技术壁垒。
（1）先进工艺节点的Cell单元优化；（2）面向工艺均一性的制程优化技术；（3）面向良率提升的制程优化技术；（4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。
目前NORFlash领域中,兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅ETOX工艺结构。
公司则率先将SONOS工艺结构应用于NORFlash的研发设计,现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒,并凭借超低功耗和高可靠性等产品特点,形成了极具竞争力的NORFlash产品矩阵。
公司与晶圆厂充分配合,在存储单元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。
公司成立至今,累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发。
C.NORFlash相关核心技术SONOS工艺下NORFlash相关核心技术（1）SONOS工艺平台公司采用SONOS工艺平台,结合基本逻辑工艺的低功耗特征,采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构,有效满足了穿戴应用及IoT应用对低电压和低功耗的要求。
双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电,使得产品具备极低的静态功耗。
而对于共源（CSL）结构,在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压,降低功耗,并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
公司通过自主研发和设计架构的配合,通过工艺复杂度的降低,有效减少所需掩膜版的数量,从而降低产品的成本,通过降低操作电压,降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗,实现NORFlash低功耗和高可靠性。
目前公司已完成SONOS工艺面向NORFlash的工艺和设计研发,形成了完整的NORFlash芯片设计技术体系,帮助公司NORFlash产品实现了低功耗、快速读取等优异性能。
（2）产品设计及测试相关技术公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化,实现产品超低功耗的读出和擦写,产品在深睡眠模式下只需满足极低工作电流的操作条件。
公司结合工艺和器件的特点,通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元周边驱动电路、模拟电路和数字电路）,实现1.65-3.60V的宽电压工作范围并支持四线工作模式。
通过存储单元设计技术的创新与升级,实现了三个产品优势：1）快速擦除,全芯片擦除速度较ETOX工艺下的NORFlash大幅提升,对于在线擦除或批量烧录的擦除有显著的优势；2）产品使用过程中,初期擦写时间和末期擦写时间不变,相较于ETOXNORFlash,公司的SONOSNORFlash产品在特定的应用环境中具备一定优势；3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性,即掉电不影响非擦写区域,不会在掉电恢复后产生芯片漏电而无法正常工作的问题,也保障了上电过程的快速实现。
通过自主研发的校准技术和温度补偿技术,实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配,有效提升产品的可靠性,达到擦写次数优于10万次,数据保持时间优于20年。
通过产品缓存的优化设计,实现产品并行写入效率的2至4倍提高,有效提升产品进行在线升级或批量烧录的效率,从而降低成本。
通过独特的页单位的擦除模式设计,改善产品在小数据结构下的擦写效率,有利于可靠性和应用效率的提升。
通过自主研发的面向测试的设计技术,提升产品的测试效率、缩短测试时间,同时提升测试的覆盖率。
通过针对SONOSNORFlash面向制造的设计技术（包括电路和版图）,提升产品在先进工艺下的生产控制窗口,提升产品的良率。
通过自主开发的智能校准和动态调整技术,实现产品规格与工艺窗口的动态匹配,提升产品良率,并优化可靠性水平。
通过采用全差分读取电路、高灵敏度比较器、以及亚阈值设计等先进设计技术,实现产品超低电压工作；采用高效率读相关电路、功耗优化的低电压电荷泵等技术实现产品超低功耗,推出业界首款支持1.1V工作的超低电压、超低功耗Flash平台。
ETOX工艺下NORFlash相关核心技术（1）功耗优化技术公司产品在读和擦写功耗上,采用了多种新技术对功耗进行了优化。
在读功耗上：采用逻辑控制非用即关技术,优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术,减小了位线寄生电容,减少了读取功耗；采用了新的敏感放大技术,节约了数据读取所需要时间,减小了读取功耗。
在写功耗上,采用了逐级控制电流技术,提升了编程效率,缩减了编程功耗；采用了动态算法编程技术,提升了随机数编程效率；在擦除功耗上,对擦除步骤之一的预编程进行了改进,用隧穿编程替代了热载流子编程,大大缩短了预编程的时间和功耗。
（2）读取速度提升技术公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。
采用了动态采样、输出再编码、传输路径最适化、字线匹配及非满幅检出等技术。
（3）过擦除保护技术公司ETOX产品的特点有过擦除问题,需要对过擦除进行修复。
产品采用了逼近优化的两步修复技术对过擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制,对异常断电及数据老化导致的阈值变化进行检测和纠正。
（4）冗余位线自动修复技术公司ETOX产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复,产品采用了冗余位线自动修复技术,在一定背景数据下,当位线出现坏块时,修复系统自动对字线坏块进行修复,并输出修复信息或出错信息,减少了修复处理的复杂度及测试时间。
D.EEPROM相关核心技术（1）130nm制程下的存储单元改进技术行业内公司的EEPROM芯片主流制程为130nm,公司在130nm制程的基础上,对存储单元结构进行工艺优化改进,优化编程电压及电荷泵补偿结构。
一方面,降低了存储单元的面积和EEPROM芯片的大小,另一方面,擦写电压的优化和补偿结构,提升了产品的可靠性和寿命,使得公司的EEPROM芯片具备400万次擦写能力及200年的数据保存时间。
（2）95nm及以下工艺制程的开发升级在130nm高可靠性EEPROM的基础上,从工艺制程、电路设计等方面切入,对手机摄像头模组等消费类EEPROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发,达到了95nm及以下的工艺制程,实现更大容量、更低工作电压和更低功耗。
（3）工艺结合设计的可靠性优化通过特殊工艺器件的开发,工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术,实现擦写电压的温度补偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤,实现常温的高擦写次数,同时更为显著地提升了高温下的擦写能力和擦写寿命。
（4）工艺结合设计的成本优化设计通过特殊工艺层次的加入,结合设计电路在浮栅的控制方法,实现存储单元窗口的平移和操作电压的优化,从而改善了存储单元的面积,同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。
（5）容错纠错技术在容错和纠错技术的研究和开发方面,一是采用ECC技术,也就是纠错校验技术,在存储单元阵列的基础上,需要增加一位的校验码,当数据被写入EEPROM的时候,相应的ECC代码与此同时也被保存下来。
当重新读回刚才存储的数据时,保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。
来保证数据的准确性。
二是采用差分存储方案,利用差分存储单元特点,把数据存储分在差分的两个位置同时存储,在读出的时候再比对两个位置的数据,解码一致则读出。
（6）先进封装和小型化技术针对手机摄像头WLCSP封装对EEPROM小型化及可靠性需求。
公司采用软件地址编程及软件写保护技术,实现在4球的封装中提供全地址可编程的方案。
同时针对手机摄像头加工和组装中容易产生灰尘颗粒缺陷的要求,在产品设计的时候,采用无金属化的划片槽设计,能有效降低芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷的风险,降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。
E.微控制器相关核心技术（1）宽电压MCU技术公司MCU产品规划中定义了宽电压设计指标,产品低压支持最低1.7V工作电压,高压支持最高5.5V工作电压。
既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求,也可以满足早期8位MCU市场5V应用的需求。
（2）多IO设计技术通过优化芯片电源网络和PMU设计,最大化的减少芯片电源引脚,在封装引脚限定的情况下提供更多的通用IO,增加功能性。
（3）基于先进存储工艺的自主开发嵌入式Flash闪存技术公司MCU产品采用55nm及以下嵌入式Flash工艺技术,结合基本逻辑工艺的低功耗特征,采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构,双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电,使得产品具备极低的静态功耗。
而对于共源（CSL）结构,在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压,降低功耗,并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
基于多年来在闪存工艺及设计技术上的耕耘,公司自主开发的Flash闪存具有低动态和静态功耗,快速Flash擦除速度,同等容量下更小更有竞争力的闪存IP面积,和独立Flash相匹敌的Flash擦写次数和数据保持等可靠性指标。
（4）低功耗设计技术动态电流方面：公司MCU产品采用先进工艺及自有IP,擦和写都是通过FN隧穿方式实现擦写电流低。
采用公司专利的读电路设计可以大幅降低读电流,芯片动态功耗具备优势。
静态功耗方面：公司MCU产品采用多电源域的设计,通过对不同电源域的电压控制和电源开关控制,实现更低的静态电流。
（5）工艺结合设计的成本优化设计公司MCU产品采用先进制程下的嵌入式Flash工艺和设计,使得版图优化,从而实现更小更有竞争力的芯片面积,同时通过工艺复杂度的降低,有效减少所需掩膜版的数量,从而降低产品的成本。
（6）高性能触控技术公司32位触控MCU内置电容检测电路,配备完善的触控库算法,兼具灵敏度和可靠性,可以稳定通过10V动态CS测试,可实现高信噪比、超强抗干扰性和超低功耗功能,具有易操作、响应快、成本低、无开孔等优点。
（7）高性能电机驱动控制技术公司电机专用型MCU通过集成相适配的高效架构算法、电机结构设计方案以及多通道接口,可实现高低电压自适应启动、转子初始位置自学习、零速闭环启动、宽转速范围等功能,有效提升产品运行效率和稳定性。
F.模拟产品的音圈马达驱动芯片相关核心技术（1）接口低电压技术现在主流的智能终端应用处理器平台为实现系统整体低功耗,未来几年通用接口将逐渐过渡到采用1.2V接口,本公司音圈马达驱动全系列产品实现了1.2V到3.6V全电压输入范围的正常通讯,可兼容各种通用接口的接口电平。
（2）马达快速稳定算法公司自主研发的四阶马达快速稳定算法,与电机阻尼系数调较,两种技术的叠加使用,可以实现电机的稳定时间在10ms以内,比业界通用标准（<15ms.）提高30%的速度。
（3）VCMDriver与EEPROM二合一的产品开发技术产品实现地址可选择,稳定算法参数的用户配置,更优的成本和更小的产品体积。
（4）动态电压适配驱动技术通过设定不同的DriverIC的输入电压,可以获得不同的最大电流输出能力,兼顾功耗节省和电机推动能力的不同需求。
（5）高主频OISDriver公司高主频OISdriver支持2路OIS和1路AF线性驱动控制,并支持6轴PWM驱动输出,可同时支持传统的OIS马达和SMA马达。
2、报告期内获得的研发成果报告期内,公司取得20项发明专利,2项实用新型专利授权,新提交47项发明专利,6项实用新型申请,取得9项集成电路布图设计登记。
报告期内获得的知识产权列表注：其他指集成电路布图设计登记3、研发投入情况表研发投入总额较上年发生重大变化的原因报告期内,公司着力扩充研发团队,持续加强对现有产品的完善与升级以及对新产品的研究与开发,研发投入的增长主要来自研发人员薪酬以及以及购买软件、实验室测试设备等导致的折旧摊销费用的增加。
4、在研项目情况情况说明1、上述4个项目的“本期投入金额”及“累计投入金额”分别为本期研发费用及累计研发费用口径；预计总投资规模为现金流口径。
2、第1至第2个项目为均为募集资金投资项目,预计总投资规模包括研发项目的设备购置费用、研发费用、基本预备费、铺底流动资金等。
5、研发人员情况三、报告期内核心竞争力分析。
财务指标
| 财务指标/时间 |
| 总资产（亿元） |
| 净资产（亿元） |
| 少数股东权益（万元） |
| 营业收入（亿元） |
| 净利润（万元） |
| 资本公积（万元） |
| 未分配利润（亿元） |
| 每股净资产（元） |
| 基本每股收益（元） |
| 稀释每股收益（元） |
| 每股经营现金流（元） |
| 加权净资产收益率（%） |
企业发展进程
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2015年12月25日
王楠、李兆桂、苏维共同签署了《普冉半导体(上海)有限公司章程》,约定普冉半导体(上海)有限公司注册资本为50万元人民币,住所为中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路351号2号楼A676-22室,经营范围为“半导体、集成电路及相关产品的开发、设计、销售;网络科技、计算机技术领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;从事货物及技术的进出口业务”。
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2020年2月24日
普冉有限通过股东会决议,同意普冉有限整体变更为股份公司。
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2020年3月10日
立信会计师事务所(特殊普通合伙)出具了“信会师报字[2020]第ZF10040号”《验资报告》,对有限公司整体变更为股份有限公司出资进行了审验,确认截至2020年2月29日,各发起人对普冉半导体的出资已经全部到位。
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2020年3月13日
上海市市场监督管理局就此次整体变更向普冉半导体核发了统一社会信用代码为91310000MA1K35P57Y的《营业执照》。
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2018年9月30日
普冉有限就上述事宜办理了工商变更登记并取得新的《营业执照》。
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2020年1月15日
普冉有限就上述事宜办理了工商变更登记并取得新的《营业执照》。