上海芯导电子科技股份有限公司

• 企业全称: 上海芯导电子科技股份有限公司
• 企业简称: 芯导科技
• 企业英文名: Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.
• 实际控制人: 欧新华
• 上市代码: 688230.SH
• 注册资本: 11760 万元
• 上市日期: 2021-12-01
• 大股东: 上海莘导企业管理有限公司
• 持股比例: 38.25%
• 董秘: 兰芳云
• 董秘电话: 021-60753051
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 叶慧、徐福宽、苏鸿辉
• 律师事务所: 上海市广发律师事务所
• 注册地址: 中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
• 概念板块: 半导体 上海板块 专精特新 融资融券 第三代半导体 氮化镓 半导体概念 小米概念

• 注册地: 上海
• 成立日期: 2009-11-26
• 组织形式: 中小微民企
• 统一社会信用代码: 913101156972811715
• 法定代表人: 欧新华
• 董事长: 欧新华
• 电话: 021-60870158
• 传真: 021-60870156
• 企业官网: www.prisemi.com
• 企业邮箱: investor@prisemi.com
• 办公地址: 中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号,上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54号(D幢)10-11层
• 邮编: 201210,201203
• 主营业务: 功率半导体的研发与销售
• 经营范围: 电子科技、计算机专业领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让、技术培训,芯片、集成电路的设计、开发,电子产品、通讯产品、计算机硬件的研发、销售,计算机软件的开发、设计、制作、销售(以上除计算机信息系统安全专用产品);系统集成,网络工程,从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
• 企业简介: 上海芯导电子科技股份有限公司(Prisemi)成立于2009年,专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,总部位于上海市张江科学城,已在上交所科创板上市,股票代码为688230.SH。公司在深耕国内市场的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销欧美日韩及东南亚等国家与地区,在移动终端、网络通信、安防工控、储能、汽车电子、光伏逆变器等应用领域具有卓越的产品及整体方案优势。
• 发展进程: 发行人前身芯导有限设立于2009年11月26日,系由自然人孔凡伟和吕家祥出资设立的有限责任公司,设立时注册资本为200.00万元。2009年11月24日,上海沪中会计师事务所有限公司出具《验资报告》(沪会中事(2009)验字第1438号),验证截至2009年11月23日,芯导有限已收到全体股东缴纳的实收资本合计200.00万元,均以货币出资。2009年11月26日,芯导有限在上海市工商行政管理局浦东新区分局完成了工商设立登记手续并领取了《企业法人营业执照》(注册号为310115001173485)。 2019年12月2日,芯导有限召开临时股东会,审议通过芯导有限以截至2019年10月31日经审计的账面净资产折股整体变更为股份公司,其中4,500.00万元为公司股本,其余计入资本公积。同日,全体股东签署《发起人协议》。根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28316号),截至2019年12月26日止,各发起人以其拥有的截至2019年10月31日经审计的净资产折合为股份公司股本4,500万股,每股面值1元,净资产超出注册资本部分作为公司资本公积,变更前后各股东出资比例不变。2019年12月26日,公司领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。2018年7月25日,芯导有限召开股东会并作出决议,同意增加芯导有限注册资本1,150.00万元,增资完成后,芯导有限注册资本变更为2,150.00万元,新增注册资本中莘导企管认缴出资1,046.50万元、萃慧企管认缴出资103.50万元。根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28272号),截至2018年11月30日止,芯导有限已收到莘导企管、萃慧企管缴纳的新增注册资本1,150.00万元,出资方式为货币。2018年8月27日,芯导有限领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。2019年12月2日,芯导有限召开临时股东会,审议通过芯导有限以截至2019年10月31日经审计的账面净资产折股整体变更为股份公司,其中4,500.00万元为公司股本,其余计入资本公积。同日,全体股东签署《发起人协议》。根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28316号),截至2019年12月26日止,各发起人以其拥有的截至2019年10月31日经审计的净资产折合为股份公司股本4,500万股,每股面值1元,净资产超出注册资本部分作为公司资本公积,变更前后各股东出资比例不变。2019年12月26日,公司领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。 报告期内,发行人未发生重大资产重组情况。
• 商业规划: 公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造,为客户提供卓越的产品与服务,实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命,凭借优秀的研发能力及研发团队,通过多年的技术积累,具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。目前,公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台,公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaNHEMT产品开发了高压P-GaNHEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台,负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步,在技术平台下持续更新、迭代,研发出新一代产品投入市场。（一）报告期内主要经营情况报告期内,公司实现营业收入15,580.80万元,较上年同期增加18.79%；实现归属于上市公司所有者的净利润5,221.45万元,较上年同期增加36.44%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2,489.11万元,较上年同期增加125.66%。报告期末,公司总资产225,455.80万元,同比减少1.18%；归属于上市公司的所有者权益220,783.11万元,同比减少0.66%。（二）报告期内重点任务完成情况1、稳步推进研发创新,提升核心竞争力作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,公司一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求,有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展。（1）功率器件研发方面：①在TVS产品方面：A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力ESD产品已经在终端大客户验证通过,将在新项目中采用。另外该系列产品也由1.0*0.6mm的尺寸升级,缩小至0.6*0.3mm,目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力ESD产品在封装中,将使产品的阵容更加完善和齐全。B.超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的SCRESD产品基础上升级,开发具有更强静电防护能力的系列产品,目前该增强静电能力系列产品已经进入正式流片阶段。同时开发用于HDMI2.1接口保护应用的容值低于0.3pF的4路深回退保护器件,目前已经在部分终端客户小批量试运营通过。此外,在超低容值产品的开发工作方面,朝向更低的0.1pF的极低容值的SCRESD产品已经正式立项开发,目前已经进入版图设计阶段。C.公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品,已经通过大客户的性能验证,由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能,优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中,目前该系列产品已经有多个型号批量出货。同时,在Vbus（总线保护）应用方面,基于DFN2020封装在开发高工作电压的双向保护产品,以满足终端客户在海外出口产品的应用需求,以及具有超低应用负向钳位电压的单向TVS产品,目前两个系列均在晶圆流片中。②在MOSFET产品方面：A.中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET,不断完善产品阵容,加快产品系列化进程。立项投入开发新的产品,目前新产品项目已经进入到流片阶段,将进一步扩大在电源、光伏储能、电机驱动等领域的市场机会。B.低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品,新的增强GS间静电保护能力的MOSFET系列产品已经进入封装阶段,将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消费类领域,为终端客户提供更加安全、可靠的产品。在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产品阵容,包括N沟通、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。同时在开发贴合应用的叠片工艺、共S、共D极产品,将为终端客户提供最优应用解决方案。③在肖特基产品方面：目前正在开发具有超小封装尺寸,超低正向导通压降的超低容值肖特基产品,该产品已经进入到版图设计阶段,开发成功后,具有开关频率快,产品损耗低等突出性能。④在GaNHEMT产品方面：公司第三代半导体650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品,目前多个客户已将前述产品纳入自身项目资源池中,公司正在积极与客户沟通,等待客户正式启动项目后进入小批量试生产。此外,中低压GaNHEMT产品有序开发中,其中40V产品已经进入封装测试环节。650VCascode结构GaNHEMT有序开发中,目前初步形成了90-900mR系列产品。⑤在IGBT产品方面：公司650V/1200V100A以下小电流产品已初步形成产品系列化,通流能力在25A~75A范围,采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式,目前在工业控制等领域重点推广；公司1200V100A以上大电流产品设计和工艺平台建成,首颗1200V200A芯片完成测试评价,参数一致性好,具有高可靠性和强鲁棒性。1200V100A/150A、1700V150A/200A等系列化产品陆续进行流片产出。大电流产品主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式,重点在储能等新能源领域推广。（2）功率IC研发方面：①在过流过压保护类IC产品方面：A．现有产品系列化不断丰富,成功导入知名终端产品中,并实现量产。B．30V/108mΩ规格产品已完成改版开发,处于送样推广阶段。C．公司高耐压、低成本过压保护类产品正在立项评估中,可行性评估通过后推进产品设计开发工作。②在充电类IC产品方面：A．开关充电系列从“3A充电（带路径管理）”到“3A充电低待机电流（带路径管理）”、“3A大电流（带协议、带路径管理）”规格不断更新,积极响应客户需求,丰富公司产品功能,目前该系列产品已在客户端完成试产验证。B．同系列“单芯片5A带路径管理开关充电产品”已完成性能优化版本的设计工作。为满足客户项目不断升级的需求,公司将原5V/1.75A开关充电IC迭代成5-12V/3.78A高压充电IC,已完成初版开发,目前在推进改版事宜。③在大电流降压DC-DCIC产品方面：具有高效率高可靠性特点的产品,已扩展到工控领域的应用,实现小批量出货,并同步推进平台验证,持续导入品牌客户。④在负载开关IC产品方面：为了满足客户日益增长的功耗管理需求,对现有产品进行系列化,通过拓展限流负载开关产品,丰富开关保护IC品类,已成功导入多家品牌客户。2、深化品牌建设,巩固合作伙伴关系公司始终以客户需求作为第一需求,积极参加行业展会、论坛,及时掌握行业动态及客户需求,促进与合作伙伴的交流合作,进一步加强品牌宣传力度,提升公司知名度。提高产品质量,提升服务水平,为客户提供更丰富的产品和更优质的服务,赢得客户认可,实现市场拓展和业务增长,维护公司品牌形象。报告期内,公司完成了如下工作：（1）公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行,公司向行业资深合作伙伴及优秀代理商积极传递了各产品线的竞争优势和应用机会,大家汇聚一堂,加深合作,携手共进。（2）公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会,公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获“风雨同舟奖”,本次获奖既是对公司多年合作的肯定,更是对未来相互成就的期许。（3）第十届中国品牌经济（上海）论坛系列活动——上海专精特新品牌价值创新提升主题论坛在上海举办,公司入选“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”名单。（4）公司参加了2024年（春季）亚洲充电展（ACE）,展出了MOSFET、GaNHEMT、防护器件等产品在PD快充适配器、移动电源、无线充等电源相关设备中的应用。（5）公司与ST、Qorvo、MPS等公司共同组成“绿色能源专区”亮相2024国际集成电路展览会暨研讨会(IICShanghai),公司展示了IGBT单管及模组、SiCMOSFET、SiCSBD、GaNHEMT、GaNIC等应用于风光储充及汽车领域的相关产品。3、加强校企交流,探索产学融合新模式报告期内,西安交通大学党委书记卢建军一行莅临芯导科技调研走访,进一步推动产学研深度融合,促进学校与企业之间的合作共赢。此次调研走访不仅加深了学校与校友企业之间的联系,更为双方未来的合作与发展奠定了基础。公司将积极参与行业交流,拓展资源,务实合作,打造新的增长点,为行业的蓬勃发展增势赋能。此外,复旦MBA半导体俱乐部、复旦大学微电子学院等走进公司,共话第三代半导体前沿领域,探讨人才发展战略,本次参访为复旦大学与公司的更进一步合作奠定了良好基础。