北方华创 - 002371.SZ

主营业务：半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务

经营范围：许可经营项目:组装生产集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;一般经营项目:销售集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;技术咨询;技术开发;技术转让;经济贸易咨询;投资及投资管理;货物进出口;技术及出口;代理进出口。

北方华创科技集团股份有限公司(以下简称“北方华创”)成立于2001年9月,2010年在深圳证券交易所上市,股票代码002371,是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。

北方华创以科技创新为基点,着眼未来,致力于加快推进北方华创向新型制造业的战略转型;致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者;致力于提升人类智能生活品质;致力于实现中国“智造强国”的梦想蓝图。

北方华创主营半导体装备、真空及锂电装备、精密元器件业务,为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。

公司现有六大研发生产基地,营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。

未来的北方华创,将以半导体基础产品领域先进企业的姿态登上世界舞台,深耕发展,引领未来,坚持以客户为中心,以价值创造者为本,持续创新,推动产业进步,创造无限可能。

公司专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工艺装备包括半导体装备、真空新能源装备;电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。

公司始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。

在半导体装备业务板块,公司的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备,广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。

公司凭借产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。

在真空新能源装备业务板块,公司深耕高压、高温、高真空技术,主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等,广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域,为新材料、新工艺、新能源等领域的绿色制造提供技术支持。

在精密元器件业务板块,公司推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展,主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等,广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域,为客户提供高端精密元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。

(一)概述1.半导体装备2025年,公司半导体装备业务持续发展,营业收入、市场占有率均快速增长,业务规模、量产能力与核心竞争力全面提升。

同时,公司全年大幅度增加研发投入,核心知识产权布局持续完善,关键技术壁垒不断拓宽,为产品迭代升级、产业化落地与市场拓展提供了坚实的技术支撑。

围绕公司战略布局,公司稳步推进新产品开发及产业化应用,产品端实现多项突破。

报告期内,公司成功推出离子注入设备、电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新产品,实现12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉等核心设备的规模化量产。

公司立式炉、物理气相沉积(PVD)设备继刻蚀机之后,顺利实现交付数量突破1000台的行业里程碑,充分印证了公司在集成电路装备领域成熟稳定的规模化量产能力和全流程交付保障能力。

报告期内,公司完成对芯源微的并购整合,进一步完善了半导体装备领域全链条产品布局,拓宽了业务覆盖边界,综合服务能力与市场竞争优势持续增强。

(1)刻蚀设备刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备,通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料,形成半导体器件所需的微观结构。

按照刻蚀机理及刻蚀材料的区别,主要包括以下品类:ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术,通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体,生成高密度等离子体。

设备可在低工作气压①下实现快速刻蚀,核心优势在于能独立控制离子能量与通量,可精准优化各向异性刻蚀能力,刻蚀深宽比表现优异,适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工,是工艺制程的核心刻蚀设备之一。

CCP刻蚀设备采用平行板电容耦合方式产生等离子体,通过调节射频功率和气体配比,既能实现较高刻蚀速率,又具备宽泛的工②艺窗口。

其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著,兼容性强,常用于存储芯片的深孔、沟槽结构刻蚀。

高选择性刻蚀设备通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术,实现超高刻蚀选择比。

可精准去除目标材料,同时最大限度保护掩膜层③及周边非目标结构,避免损伤。

主要应用于精细结构释放、堆叠层间选择性刻蚀等高精度工艺场景,是先进半导体器件制造中保障结构完整性的关键设备。

等离子去胶机通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体,使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化,转化为挥发性产物后被排出,④完成去胶处理。

其核心优势为无化学污染、处理效率高,且能适配不同光刻胶类型,广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。

Bevel刻蚀设备专注于晶圆边缘处理,采用定向等离子体轰击技术,针对性消除薄膜沉积不均匀导致的晶圆边缘缺陷。

在12英寸晶⑤圆制造中应用广泛,核心用于晶背清洁、边缘残留去除,可有效防止后续封装及互连过程中出现铜互连断裂、漏电等问题,保障晶圆整体良率。

IBE刻蚀设备(离子束刻蚀设备)基于物理轰击原理,通过离子源产生高能离子束,直接轰击晶圆表面目标材料实现刻蚀。

刻蚀过程基本不受化学反⑥应影响,具有极高的刻蚀精度、方向性和均匀性,刻蚀速率稳定可控。

适用于MEMS器件、光电子器件(如激光器、探测器)等对精度和表面质量要求极高的场景,也用于先进制程的精细辅助刻蚀。

根据权威机构数据,2025年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为18.5%,全球市场规模约1580亿元人民币。

公司在刻蚀设备领域,已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的多系列产品布局。

2025年公司刻蚀设备营业收入超百亿元人民币。

(2)薄膜沉积设备薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备,与刻蚀设备协同工作,通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积一层或多层均匀薄膜,用于构建器件的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构。

根据沉积原理与工艺需求,主流设备主要包括PVD、CVD、外延设备、ALD及电镀设备五大类。

PVD(物理气相沉积设备)PVD基于物理过程实现薄膜沉积,核心是在真空环境中,通过蒸发、溅射等方式将靶材原子或分子从源体剥离,使①其在晶圆表面凝聚、成膜。

主流技术分为蒸发镀和溅射镀两类,其中溅射镀因膜层均匀性、致密性更优,应用更为广泛。

设备优势在于膜层与基底附着力强、成分可控性好,沉积速率适中,可适配金属、合金、陶瓷等多种靶材。

主要应用于半导体器件的金属布线(如铝、铜薄膜)、阻挡层(如钛、钽薄膜)、电极层沉积,也是面板、光伏等领域的通用型沉积设备。

CVD(化学气相沉积设备)通过气相化学反应实现薄膜沉积,核心是将含薄膜元素的气态前驱体通入反应腔,在晶圆表面发生分解、化合等反②应,生成固态薄膜并沉积。

根据反应条件差异,可细分为常压CVD、低压CVD、等离子体增强CVD(PECVD)、金属有机物CVD(MOCVD)等子类。

设备优势在于膜层台阶覆盖性极佳、厚度均匀性好,可沉积多种介质膜、半导体膜,兼容性强。

广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的介质层、栅极层沉积,是半导体量产中应用广泛的沉积设备之一。

EPI(外延设备)EPI属于高精度专用沉积设备,核心是在单晶衬底表面,沿衬底晶格方向生长出与衬底晶格结构、取向一致的单晶③薄膜(外延层),确保薄膜的电学、光学特性最优。

设备优势在于外延层晶格匹配度高、缺陷密度极低,能精准调控薄膜组分与厚度。

主要应用于集成电路、功率半导体(如氮化镓、碳化硅器件)、光电子器件的核心薄膜沉积,是高端半导体器件制造的关键设备。

ALD(原子层沉积设备)ALD基于循环式化学吸附原理实现原子级薄膜沉积,核心是将两种或多种前驱体交替通入反应腔,每种前驱体仅在④晶圆表面发生单原子层化学吸附,通过排空步骤清除未反应前驱体后,再通入下一种前驱体发生反应,循环往复形成薄膜。

设备最大优势在于薄膜厚度可精准控制到原子级,均匀性极佳,台阶覆盖能力远超传统CVD,且沉积温度低、膜层致密无孔隙。

适用于特殊薄膜沉积(如高K介质层、金属栅极薄膜)、MEMS器件精细结构沉积,是半导体先进制程突破的核心沉积设备。

电镀设备电镀设备基于电化学沉积原理,将晶圆作为阴极浸入含目标金属离子的电镀液中,通过施加电流使金属离子在晶圆⑤表面还原、沉积形成薄膜。

核心优势在于沉积速率快、金属填充能力极强,能高效填充高深宽比结构。

目前主流应用于半导体铜互连工艺的金属填充,也用于封装环节的金属镀层沉积。

根据权威机构数据,2025年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.0%,全球市场规模约1870亿元人民币。

公司在薄膜沉积设备领域,已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。

2025年,公司薄膜沉积设备营业收入超百亿元人民币。

(3)热处理设备热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备,核心作用是通过精准控温、控制气氛处理,优化晶圆材料的晶体结构、电学性能,修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤,同时实现杂质激活、薄膜致密化等目标。

根据处理方式、效率及制程适配性,主流热处理设备主要包括管式氧化、管式退火、单片退火设备等类型。

管式氧化设备管式氧化设备用于在晶圆表面生长氧化膜,通过将晶圆置于密封介质管内,在高温环境下通入氧化剂,使硅衬底与①氧化剂发生化学反应生成氧化膜。

设备采用批量处理模式,可同时放入数百片晶圆,通过精准控制温度、氧化时间、气体流量及氛围,调控氧化膜的厚度、致密性及均匀性。

其优势在于批量处理效率高、成本低,膜层与衬底结合力强,适配多种氧化工艺需求。

主要应用于半导体器件的栅氧化层、场氧化层、钝化氧化层生长,是逻辑芯片、存储芯片及功率半导体制造中的基础热处理设备。

管式退火设备管式退火设备在惰性氛围或还原性氛围下进行,通过高温加热、保温、缓慢降温的流程,可修复离子注入后晶圆晶②格的损伤,激活掺杂杂质以提升导电性,同时实现薄膜致密化、应力释放及金属硅化物形成等工艺目标。

设备优势在于处理量大、工艺稳定性好、成本可控,能适配不同材料的退火需求。

广泛应用于离子注入后退火、沉积薄膜后致密化退火、金属布线退火等场景。

单片快速热处理设备(RTP)针对先进制程对热处理精度、热预算控制的严苛需求研发,采用单片式处理模式,一次仅处理一片晶圆。

核心通过③快速热退火技术,利用高效热源,实现晶圆的极速升温和降温,在极短时间内完成退火过程。

其核心优势在于热预算极低,可有效抑制杂质扩散,避免晶圆表面图形变形,同时晶圆面内温度均匀性极高,能精准调控退火效果,减少工艺偏差。

主要应用于高精度杂质激活、浅结退火、金属硅化物退火及先进封装中的局部热处理,是先进半导体器件制造中保障性能与精度的关键设备。

根据权威机构数据,2025年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.2%,全球市场规模约190亿元人民币。

公司在热处理设备领域,已形成了管式氧化设备、管式退火设备和快速热处理设备的全系列布局。

(4)湿法清洗设备半导体湿法清洗设备是晶圆制造全流程中的核心辅助设备,通过化学试剂与物理作用结合,去除晶圆表面的颗粒杂质、金属污染物、有机残留、氧化层等污染物,同时避免损伤晶圆表面微观结构,为刻蚀、薄膜沉积、热处理等核心工艺提供洁净基底。

其分类核心依据为处理方式、工艺效率及制程适配性,主流类型包括槽式清洗设备、单片清洗设备、物理刷洗设备等类型。

槽式清洗设备槽式清洗设备的核心结构为密封清洗槽,通过将多片晶圆装入花篮,浸入配置好的化学试剂中,配合加热、搅拌或①溢流功能,实现批量清洗。

设备可根据工艺需求切换不同试剂槽,完成清洗、漂洗、干燥全流程一体化处理。

优势在于批量处理效率高、设备结构简单、采购及运行成本低,能适配中低制程的通用清洗需求。

单片清洗设备针对工艺制程对清洗精度、洁净度的严苛要求研发,采用单片式处理模式,一次仅对一片晶圆进行精准清洗。

核心②通过高压喷淋系统将化学试剂定向喷射至晶圆表面,配合晶圆高速旋转,实现试剂均匀覆盖与污染物快速剥离,同时可精准控制试剂用量、喷淋压力、温度及清洗时间。

优势在于清洗精度极高,能有效避免批量清洗中晶圆间的交叉污染,晶圆面内洁净度均匀性优异,且化学试剂量可控、环保性更强,是12英寸晶圆量产中的主流湿法清洗设备。

物理清洗设备以物理刷洗为核心,搭配化学试剂或超纯水喷淋,通过高精度柔性毛刷与晶圆表面轻柔接触旋转,剥离顽固颗粒杂③质及附着污染物,同时通过喷淋系统及时带走脱落杂质,避免二次污染。

设备优势在于对大尺寸颗粒、顽固附着杂质的去除效果显著,刷洗压力、转速可精准调控,适配不同晶圆尺寸及表面结构。

主要应用于晶圆边缘清洗、背面颗粒去除、厚光刻胶残留预处理等场景。

根据权威机构数据,2025年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%,全球市场规模约470亿元人民币。

公司在湿法设备领域,已形成了单片设备、槽式设备全面布局。

2025年,公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购,丰富了公司在物理刷洗和单片清洗领域的布局。

(5)离子注入设备离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性,是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。

其工作原理是先通过离子源产生所需离子,在电场作用下加速至预定能量,再精确注入半导体材料,实现原子的替换或添加,进而调控材料性能。

2025年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.0%,全球市场规模约170亿元人民币。

(6)涂胶显影设备涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备,主要与光刻机配合进行作业,通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理,从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。

根据权威机构数据,2025年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为2.8%,全球市场规模约240亿元人民币。

公司控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商,主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。

(7)键合设备键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备,通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联,其技术路线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。

其中混合键合直接决定了芯片互连的密度与性能上限,对芯片或晶圆进行活化、清洗、对准、键合,实现芯片间百纳米级精度的直接铜-铜连接,已成为实现高性能三维异质异构集成不可或缺的战略性技术。

根据权威机构数据,2025年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。

公司的键合设备主要包括临时键合机、解键合机、混合键合设备等。

2.真空新能源装备2025年,全球光伏行业进入深度调整周期,行业产能过剩矛盾持续凸显,下游终端装机需求不及预期,光伏产业链全环节价格持续下行,上游电池、组件制造厂商扩产意愿大幅收缩,直接导致光伏设备市场需求显著萎缩;同时行业内同质化竞争加剧、价格战持续升级,进一步压缩了设备厂商的盈利空间,对公司真空新能源装备板块原有光伏核心业务的订单获取、交付节奏、营收规模与盈利水平均带来了较大的负面冲击。

面对光伏行业持续下行的经营压力,公司依托真空技术领域数十年的深厚积累与同源技术优势,坚持战略转型与产业并购双轮驱动,多维度拓宽业务增长空间。

一方面主动推进业务结构优化,快速将业务重心向半导体材料专用装备、氢能核心制备与储运装备、锂电高端制造装备等新兴高景气赛道拓展,围绕新应用场景开展定制化技术研发与产品开发,相关市场拓展、客户验证与订单落地均取得阶段性突破;另一方面通过产业并购完善细分赛道布局,报告期内公司完成对成都国泰真空的收购整合,充分发挥双方在真空技术领域的协同效应,补全了公司在高端光学镀膜设备赛道的产品矩阵,成功切入光学镜头、光通讯元器件等高端光学核心应用场景,大幅打开了高端光学领域的市场增长空间,进一步丰富了真空装备业务的应用场景与盈利维度。

通过系列战略调整,公司真空新能源装备业务逐步对冲光伏行业下行带来的经营影响,构建起多赛道协同发展的业务格局,为板块长期可持续发展开辟了全新的增长曲线。

(1)晶体生长设备晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备,通过直拉法(CZ)、区熔法(FZ)或化学气相沉积(CVD)等工艺,在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体,广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。

其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度,确保晶体结构完整和低缺陷密度,从而提升电子器件的性能与可靠性。

随着半导体和新能源产业升级,晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代,支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。

(2)真空热工设备真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备,其通过抽真空技术消除气体干扰(如氧化、污染),精准调控材料性能,广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。

典型设备包括真空热处理炉(用于金属退火、淬火等工艺,提升力学性能)、真空钎焊炉(无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件)、真空镀膜设备(通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层)以及真空烧结炉(实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结)等。

该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势,可保障材料高纯度加工并减少能耗。

随着新材料需求增长,真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进,成为高端制造业的核心装备。

(3)新能源光伏设备公司深耕新能源光伏电池片设备,引领行业技术不断升级。

公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备,覆盖182至230mm多种大尺寸方形或矩形片。

通过等离子场、电场、气场、温度场等理论研究和开发试验,持续推进单管结构升级与产能提升。

目前,已能够为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方案。

公司已完成在TOPCon、XBC工艺路线大产能设备的行业布局。

低压扩散设备、低压硼扩设备具备较强市场竞争力,各类扩散、氧化、退火类设备技术性能优异。

LPCVD可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备,以430MW/年单机产能引领行业发展,覆盖TOPCon/XBC两类主流技术路线。

PECVD设备覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层电池技术。

ALD设备的双倍舟技术,舟槽利用率大幅提升。

经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合,公司累计发布了近百款量产型光伏设备,实现头部客户全覆盖,并出口东南亚、中东、非洲等地区,成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。

(4)新能源锂电设备新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材(如PET、PI)表面沉积纳米级金属层(铜、铝等),形成“三明治”结构,替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。

该设备可实现超薄(微米级)、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产,可提升电池能量密度,同时抑制锂枝晶生长,增强锂电池安全性与循环寿命。

其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求,广泛应用于动力电池、储能系统等领域,助力新能源产业向高效、安全方向升级。

(5)氢燃料电池装备氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备,旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性,满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。

3.精密元器件2025年,公司精密元器件业务保持稳健发展态势,持续深耕核心技术研发与产品矩阵升级,不断提升核心产品的市场覆盖度与场景适配能力。

报告期内,公司成功开发石英压力传感器芯体、抗振动高能钽电容、电子封装外壳系列等多款新产品,突破多项核心工艺瓶颈,进一步拓宽了精密元器件业务的应用边界与业务领域,为业务长期发展夯实了技术与产品基础。

受下游客户降价诉求提升、行业市场竞争持续加剧等因素影响,报告期内公司精密元器件业务毛利率出现明显下降。

在高端精密元器件领域,公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。

公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品,拓展新应用。

新开发高功率密度负载点电源,可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。

公司积极布局模拟信号链产品,已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品,并积极拓展数字存储类产品,已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。

报告期内,公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体,在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势;完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发,解决行业痛点,产品性能指标大幅提升;进行了耐高温阳极设计,开发了耐高温电解液及耐高温结构材料,并对结构进行了优化攻关,完成了耐高温液体钽电容器的开发。

成功开发电子封装外壳系列产品,目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。

公司研发的超高压陶瓷电容器,采用自研的陶瓷粉体配方,在相同的体积条件下,介质耐电压性能高于行业平均水平,在充放电寿命及耐温方面具有明显优势,目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。

公司是2001年9月25日经北京市人民政府经济体制改革办公室[京政体改股函[2001]54号]文批准,由七星集团作为主发起人,以经营性资产出资,联合吉乐集团、硅元科电、中国华融、王荫桐和周凤英共同发起设立的股份有限公司。

2001年9月28日,本公司在北京市工商行政管理局注册登记(注册号1100001331816(1-1))。

经公司申请,并经深圳证券交易所核准,自2017年2月24日起,公司证券简称由“七星电子”变更为“北方华创”。

公司证券代码不变,仍为“002371”。