| 项目名称 | 拟投入资金 | 投资占比 |
|---|---|---|
| 超大功率LDMOS功放器件、射频大功率氮化镓功放器件、大功率单片射频LDMOSMMIC、高集成射频模组研发及应用项目 | 76860.12 万元 | 27.64% |
| 全系列射频大功率封测设计和工程平台研发中心及产业化项目 | 46516.05 万元 | 16.73% |
| 高性能功率芯片、配套芯片及应用方案的研发及应用项目 | 44267.29 万元 | 15.92% |
| 研发中心建设项目 | 50418.97 万元 | 18.13% |
| 补充流动资金 | 60000 万元 | 21.58% |
| 投资金额总计 | 278,062.43 万元 | |
| 实际募集资金总额 | - | |
| 超额募集资金 | -278,062.43 万元 | |
| 投资金额总计与实际募集资金总额比 | - |