华虹半导体有限公司

• 企业全称: 华虹半导体有限公司
• 企业简称: 华虹公司
• 企业英文名: Hua Hong Semiconductor Limited
• 实际控制人: 上海市国有资产监督管理委员会
• 上市代码: 688347.SH
• 注册资本: 172506.7713 万元
• 上市日期: 2023-08-07
• 大股东: 香港中央结算(代理人)有限公司
• 持股比例: 39.74%
• 董秘: Daniel Yu-Cheng Wang(王鼎)
• 董秘电话: 021-38829909
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 安永会计师事务所
• 注册会计师: 徐汝洁、王顺华
• 律师事务所: 上海市通力律师事务所
• 注册地址: 香港中环夏悫道12号美国银行中心2212室
• 概念板块: 半导体 MSCI中国 沪股通 融资融券 注册制次新股 AH股 存储芯片 半导体概念 央国企改革 次新股

• 注册地: 香港
• 成立日期: 2005-01-21
• 组织形式: 地方国有企业
• 统一社会信用代码:
• 法定代表人:
• 董事长: 唐均君
• 电话: 021-38829909
• 传真: 021-50809999
• 企业官网: www.huahonggrace.com
• 企业邮箱: IR@hhgrace.com
• 办公地址: 香港中环夏悫道12号美国银行中心2212室,中国上海张江高科技园区哈雷路288号
• 邮编: 201203
• 主营业务: 华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。
• 经营范围:
• 企业简介: 华虹半导体有限公司(港股简称:华虹半导体,01347;A股简称:华虹公司,688347)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,秉持“8英寸+12英寸”、先进“特色IC+PowerDiscrete”的发展战略,为客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。本公司专注于嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等“8英寸+12英寸”特色工艺技术的持续创新,有力支持新能源汽车、绿色能源、物联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是中国拥有“8英寸+12英寸”先进集成电路制造主流工艺技术的产业集团。本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),月产能约18万片。另在无锡高新技术产业开发区内建有一座月产能7.5万片的12英寸晶圆厂(华虹七厂),这不仅是全球领先的12英寸特色工艺生产线,也是全球第一条12英寸功率器件代工生产线。目前,本公司正在推进华虹无锡二期12英寸芯片生产线(华虹九厂)的建设。本公司提供多种1.0微米至65/55纳米技术节点的可定制工艺选择。本公司的非易失性存储器技术具有高度的安全性、可靠性、成本效益及技术精细度,令本公司成为智能卡及微控制器等多种快速发展的非易失性存储器应用的首选晶圆代工企业之一。在功率器件技术方面本公司亦拥有强大的能力和丰富的量产经验,拥有一座专门制造功率器件产品的晶圆厂。透过灵活及可定制的制造平台,本公司可满足各种客户的特定需求。本公司是客户信赖的技术及制造伙伴,为多元化的客户制造其设计规格的芯片,客户包括集成器件制造商,系统及无厂半导体公司。考虑到工艺的性能、成本及制造良率,本公司亦提供设计支持服务,以便对复杂的设计进行优化。目前本公司生产的芯片已被广泛应用于不同市场(包括电子消费品、通讯、计算机、工业及汽车)的各种产品中。
• 发展进程: 1997年华虹NEC成立。 1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线。 2000年GraceCayman成立上海宏力。 2003年华虹NEC开始其代工服务。 上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片。 上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。 2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。 2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。 华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。 2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μmSONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。 上海宏力获得SiliconStorageTechnology,Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。 2007年华虹NEC开始用0.35μmBCD工艺技术生产芯片。 上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。 2008年华虹NEC开始用0.13μmSONOS技术生产嵌入式闪存芯片。 2009年上海宏力开始生产0.13μm逻辑与微控制器和0.12μmNOR型闪存芯片。 2010年华虹NEC开始用0.18μmBCD工艺技术生产芯片。 上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。 2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。 上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。 华虹NEC开始用600VSJNFET及1200VNPTIGBT工艺技术生产芯片。 华虹半导体与GraceCayman之间的合并已完成。 2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。 2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。 华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。 2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。 公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。 2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab2单月产出创5万片历史新高。 公司开始用0.11μmULL嵌入式闪存工艺生产芯片。 公司开始用0.2μm射频SOI工艺生产芯片。 2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。 采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CCEAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。 2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。 公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。 基於95nmOTP工艺平台的首颗MCU开发成功。 2018 华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设。 华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆。 2019 华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片。 华虹无锡项目荣获LEEDv4认证金奖。 华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付。 2020 华虹无锡首批功率器件产品交付。 华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台。 高性能90nmBCD工艺平台在华虹无锡量産。 2021 12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产。 车规级IGBT和12英寸IGBT量产。 2022 12英寸平台累计出货100万片。 2023 华虹制造新12英寸产线启动建设。华虹半导体首次公开发行A股并在科创板上市。
• 商业规划: 全球半导体产业在经历需求疲软,库存高压的行业寒冬后,2024年逐步迎来复苏。根据第三方研究机构IBS统计数据显示,2024年全球半导体市场销售额约为6,323亿美元,同比增加20.3%。但半导体市场复苏呈现结构性分化趋势,在AI及部分消费电子的带动下,先进制程芯片需求持续强劲。而成熟制程芯片需求尚未回到繁荣期,供需关系仍处于不平衡状态,在激烈的竞争格局下,成熟特色工艺晶圆代工市场仍面临需求与价格压力。面对严峻的挑战,华虹半导体坚持致力于差异化技术的研发、创新和优化,主要聚焦于嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、功率器件、模拟和电源管理、及逻辑与射频等特色工艺平台。公司加速工艺开发,坚定不移地推进多元化发展战略,将更多先进“特色IC+功率器件”工艺布局到“8英寸+12英寸”生产平台,为全球客户提供更全面、更优质的特色工艺晶圆代工技术与服务。2024年,得益于管理层的丰富经验、全体员工秉承“知难而进、奋发图强”的企业精神及客户、供应商等生态伙伴的支持下,公司全年平均产能利用率接近100%。全年晶圆出货量(折合8英寸)同比增长超过10%,整体业绩呈逐季提升趋势,全年销售额达到20.04亿美元。技术平台方面,嵌入式非易失性存储器,主要包括智能卡芯片和微控制器两大类芯片应用。智能卡方面,具有自主知识产权的嵌入式闪存技术在相关智能卡产品领域继续发力,金融IC卡已迭代至55nm工艺节点并规模量产。微控制器方面,通过“8英寸+12英寸”嵌入式闪存平台优势,多个工艺节点生产的全系列MCU芯片已量产,助力客户在汽车电子、高端家电、工控等领域稳步进入本土市场供应链第一梯队,推动本土供应链升级。独立式非易失性存储器,与客户协力推进自主开发NORD闪存技术以及传统ETOX闪存技术,已在汽车电子领域批量供货。此外,在48nmNORFlash平台取得技术突破,实现更小存储单元的芯片产品量产,并在各类应用终端客户中获得广泛认可。模拟与电源管理,涵盖8英寸与12英寸主流技术节点以及不同电压器件的工艺平台,与客户协同推进手机、白电、智能电动汽车以及新兴应用市场的各类电源管理芯片,得到国内外头部终端品牌的认可。在工艺技术方面,公司致力于发展“BCD+”策略,基于传统BCD工艺基础上开发各类特色模块的集成工艺,提供满足多种市场应用的单芯片方案,部分领域处于国内领先地位。2024年,“BCD+eFlash”工艺平台取得重要进展,110nm及90nm均进入大规模量产,进一步丰富了公司的汽车电子平台布局。在应用领域方面,得益于手机及部分消费电子市场的回暖,相关工艺平台产品需求旺盛;同时AI渗透逐步增强,带动AI相关周边电源应用需求增长较快,公司亦从中受益。逻辑与射频,主要包括特色逻辑射频工艺产品和图像传感器,公司是国内主要的射频及图像传感器技术制造方案提供商。特色逻辑射频芯片主要应用于USB控制、WIFI、蓝牙及射频前端等领域。目前55/40nm特色工艺以及RFCMOS工艺大规模量产,65nmRFSOI工艺进入量产阶段,应用于高端手机主摄的BSI图像传感器芯片在55nm实现大规模量产。功率器件,公司功率器件技术涵盖中低压MOSFET、中高压深沟槽超级结MOSFET和高压IGBT三大类。中低压MOSFET以TrenchMOS和SplitGateTrenchMOS为代表的客制化工艺在国内持续保持领先地位,受到国内外客户的广泛认可。深沟槽SuperJunction-MOSFET作为公司的重要技术平台,以独具特色的DeepTrench深沟槽结构为基础,持续迭代优化;作为国内最早从事IGBT工艺的代工厂商,公司高压IGBT已经规模量产。两者均对标国际领先水平,满足汽车电子供应链及其他终端市场需求,成为本土供应链进步的核心支撑。但是随着国内新产能的不断投产释放,供需平衡关系受到挑战,公司功率器件业绩承受了较大压力,尽管如此,工业控制及汽车电子类高端市场应用产品的比例在新品导入中持续增加,未来公司将继续积极与客户携手开拓市场,巩固市场领先地位。此外,公司积极开展服务国家战略的生态链建设,推动与终端应用企业和芯片设计客户的产业链协同发展,建立可持续发展的产业生态。2024年,公司开展了多场汽车电子、白电及新能源领域的生态链建设活动,随着“走出去、引进来”等生态链发展活动的持续推进,业务层面的合作逐步开拓,助力芯片本土化的进程。华虹制造项目(华虹九厂)于2023年6月举行开工仪式,规划月产能8.3万片,聚焦先进特色IC和高端功率器件,主要应用于车规级工艺制造平台。历时约一年半的辛勤建设,该项目已于2024年底投片量产,达成重要营运里程碑。在工程研发、市场、客户与供应商的协力推动下,产品快速导入,预计将于2025年第一季度起开始产能爬坡。展望2025年,预计全球半导体市场温和回升,AI持续强劲,中国半导体市场同样充满韧性。在全体管理层的带领下,公司将全方位提升管理及营运效能。研发方面,依托华虹制造项目新产线,大力推进关键技术平台的提升,补齐短板,重点突破,丰富产品组合,提高公司核心竞争力;产能方面,2025年华虹制造项目进入爬坡阶段,将逐渐释放更多产能,与华虹无锡项目(华虹七厂)形成柔性产能配置,更好地满足客户需求;营运方面,公司也将进一步提升营运效率,加强成本控制;市场方面,围绕推动国内生态链建设,做大做强国内客户群体,与海外战略型客户促成“ChinaforChina”策略的落地。最终为华虹半导体的生态伙伴带来更好的业绩表现,为公司及股东创造价值。