山东天岳先进科技股份有限公司

• 企业全称: 山东天岳先进科技股份有限公司
• 企业简称: 天岳先进
• 企业英文名: SICC CO., LTD.
• 实际控制人: 宗艳民
• 上市代码: 688234.SH
• 注册资本: 42971.1044 万元
• 上市日期: 2022-01-12
• 大股东: 宗艳民
• 持股比例: 30.09%
• 董秘: 钟文庆
• 董秘电话: 0531-69900616
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 立信会计师事务所(特殊普通合伙),香港立信德豪会计师事务所有限公司
• 注册会计师: 郑斌、徐耀飞
• 律师事务所: 高伟绅律师事务所,国浩律师(上海)事务所
• 注册地址: 中国山东省济南市槐荫区天岳南路99号
• 概念板块: 半导体 山东板块 专精特新 MSCI中国 沪股通 中证500 融资融券 预盈预增 碳化硅 基金重仓 第三代半导体 半导体概念

• 注册地: 山东
• 成立日期: 2010-11-02
• 组织形式: 大型民企
• 统一社会信用代码: 9137010056077790XN
• 法定代表人: 宗艳民
• 董事长: 宗艳民
• 电话: 0531-69900616
• 传真: 0531-87126500
• 企业官网: www.sicc.cc
• 企业邮箱: dmo@sicc.cc
• 办公地址: 中国山东省济南市槐荫区天岳南路99号,香港湾仔告士打道109–111号东惠商业大厦5楼503室
• 邮编: 250118
• 主营业务: 主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售
• 经营范围: 碳化硅晶体衬底材料的生产;功能材料及其元器件、电子半导体材料的研发、销售及技术咨询、技术服务、技术转让;半导体器件专用零件、光电子器件、电力电子器件及电子器件用材料、人造刚玉、人造宝石的制造及销售;晶体生长及加工设备的开发、生产及销售;货物进出口(法律、行政法规禁止的项目除外;法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念,以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向,重视产品品质和服务品质,自主掌握工艺技术,积极拓展市场,追求业务可持续发展。碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料,和传统材料相比具有更加优异的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能,在电力电子以及微波电子领域有着广泛的应用前景。但优越的物理性能背后是精密且复杂的制备工艺,碳化硅单晶的生长需要在高温低压密闭环境下进行,且微小的环境变化都会引起晶格错乱从而影响衬底材料的品质。公司依托卓越的研发团队和多年积累的产业化经验,重视技术引领、品质提升,长期坚持创新,以打造一体化解决方案为核心,完善服务、完善产品,力争成为国际著名的半导体材料公司。
• 发展进程: 2010年公司的前身山东天岳先进材料科技有限公司于中国山东省成立为一家有限责任公司 2015年公司的济南碳化硅半导体材料生产基地投产 公司完成了4英寸碳化硅衬底产品的大规模生产 2020年公司的前身改制为股份有限公司,名称为山东天岳先进科技股份有限公司 2021年公司完成了6英寸碳化硅衬底产品的大规模生产 2022年本公司于科创板上市(股票代码:688234) 2023年公司具备了8英寸碳化硅衬底量产能力 2024年公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底
• 商业规划: 能源变革和人工智能（AI）是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和AI技术进步和融合发展的核心目标,碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一,也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。随着全球新能源产业的持续扩张,市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择,并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。2024年,碳化硅衬底在原有领域加速渗透的同时,积极向新兴应用领域拓展,碳化硅衬底材料在新旧领域潜力巨大。目前,碳化硅衬底行业正处于尺寸升级的关键发展阶段。衬底向大尺寸发展已成必然趋势,6英寸导电型衬底仍是主流,8英寸导电型衬底起量,12英寸导电型衬底已有研发样品。同时,碳化硅衬底材料单位生产成本下降以及规模效应显现,将进一步推动更多下游场景采用碳化硅衬底。全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业,2024年公司继续专注于长远发展战略目标的实现,致力于成为国际著名的半导体材料公司。（一）公司经营情况公司围绕公司长远发展战略目标,本年度公司经营业绩取得了突破性进展。1、聚焦核心资源、深耕主营业务。2024年,公司立足全球市场,全面提升核心产品的产能产量。全年济南工厂的产能产量稳步推进。上海工厂已于年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划,同时公司将继续推进二阶段产能提升规划。2024年,碳化硅衬底产量41.02万片,较2023年增长56.56%,产量持续增长,屡创历史新高。整体上,2024年度公司实现营业收入17.68亿元,较2023年增长41.37%。公司连续三个年度保持营收增长。一方面公司聚焦主业,加强研发创新,提升技术竞争力；深入开拓市场与客户资源,加强与国内外知名客户长期合作；持续产能释放并优化产品结构,产销量持续增加,报告期实现营业收入同比大幅增长。另一方面,公司持续降本增效,不断提升管理能力,报告期内公司的销售毛利率同比实现较大提升,归属于母公司所有者的净利润和归属于母公司所有者的扣除非经常性损益同比大幅增加,2024年度,公司季度利润全面转正,全年实现扭亏为盈；每股收益、加权平均净资产收益率等指标均同比改善。2、与客户、供应商构建紧密的合作生态,共同推动碳化硅行业发展。公司深度融入碳化硅行业价值链,与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心,精准把握全球客户的最新需求,链接全球顶尖的供应链资源,不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升,并最终实现产业链共赢,持续提升全球影响力。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系,有助于通过创新和广泛的行业合作打造强大的碳化硅行业生态系统。公司的碳化硅衬底产品已经在可再生能源及AI领域龙头公司的产品中得到广泛使用,进一步帮助公司持续优化碳化硅产品及服务以满足其要求。2024年度,公司国际知名客户的收入贡献实现稳步增长,且公司策略性地专注于满足下游产业对高品质产品的需求,使公司在显著扩大业务规模的同时,仍能保持财务韧性。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算,2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率,天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。3、公司持续拓展且性能卓越的产品组合,助力下游应用拓展公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合,探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力,公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道,这不仅将驱动业绩实现爆发式增长,更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展,进而巩固行业引领地位,把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先,是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一,持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月,公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月,我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料,能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下,显著提升产量,降低单位成本,进一步提升经济效益,为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。（二）研发创新情况碳化硅衬底属于高度技术密集型行业,具有较高的技术壁垒,制备过程高度复杂。努力保持领先的技术地位是公司的企业基因,要求公司坚定不移地致力于研发。2024年,公司研发费用1.42亿元,较2023年增长3.38%。公司的重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发,确保公司不仅始终走在科技进步的前沿,并且不断改进公司的产品。公司在核心技术和产业化能力优势,保障了产品的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队,引领行业发展,在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。公司研发与规模化生产形成良好的正循环积累。公司会针对下游客户的痛点及需求进行有针对性的研发,并根据彼等的反馈优化及改进公司的产品。这种方法使公司的产品能够更好地支持客户的终端产品。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底,突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时,公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。截至2024年末,公司及下属子公司累计获得发明专利授权194项,实用新型专利授权308项,其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据,公司在碳化硅衬底专利领域,位列全球前五。截至报告期末,公司研发人员中硕士、博士合计66人,占研发人员总数的44.90%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。（三）年度成果和荣誉2024年,上海工厂已于年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划,同时公司将继续推进二阶段产能提升规划。上海临港工厂将是公司导电型产品的主要生产基地。上海工厂具有模块化高标准设计,率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂,通过AI和数字化技术持续优化工艺,为产能提升打下重要基础。2024年,公司“一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底”专利获得中国专利银奖荣誉。中国专利奖由国家知识产权局和世界知识产权组织共同主办,是我国唯一对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖,也是我国在专利领域的最高荣誉。公司获奖专利在8英寸碳化硅衬底面型、高平整度、低粗糙度等性能提升和批量化制备方面具有领先优势,突破了大尺寸高质量碳化硅半导体衬底加工技术,实现了国产化替代,具备引领行业发展的优势。2024年,中国企业评价协会发布的2024年中国新经济企业TOP500榜单中,公司凭借在碳化硅衬底新兴技术领域的卓越表现,成功入选。此次入选企业均为各自领域的佼佼者。中芯国际、北方华创、比亚迪、宁德时代以及天岳先进等科技企业,在半导体及芯片的新兴应用领域不断突破,为我国科技自主可控贡献力量。公司已被国际权威指数机构MSCI公司纳入“MSCI中国A股在岸指数”的成分股名单,公司已经成为科创50等重要指数成分股。2024年9月,上交所公示了“沪市上市公司2023至2024年度信息披露工作评价结果”,公司首次获得最高等级“A”。2024年12月,公司荣获中国上市公司协会2024年上市公司董事会办公室“优秀实践”。上述荣誉代表着对公司信息披露质量、规范运作水平、投资者关系管理等方面的充分认可与肯定。公司也将持续提升公司信息披露工作质量,探索投资者关系管理工作的创新模式,积极贯彻落实“提质增效重回报行动方案”有关要求,以高质量的信息披露工作传递公司价值,推动公司高质量发展。2024年是公司发展的关键战略机遇期,天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。经过多年发展,公司技术优势显著,临港工厂的提前达产有利保障了客户订单的稳定交付。上海临港工厂第二阶段产能提升规划也已启动,公司将持续提升高品质导电型碳化硅衬底产品的产能产量,服务全球知名客户。未来,天岳先进将以“先进品质持续”的经营理念,力争通过先进的技术能力、生产能力和管理能力,不断丰富产品系列,升级产品性能,为客户提供卓越的产品和服务品质,开创可持续发展的经营基业。