苏州东微半导体股份有限公司
| 企业全称 | 苏州东微半导体股份有限公司 | 企业简称 | 东微半导 |
| 企业英文名 | Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited | ||
| 实际控制人 | 王鹏飞,龚轶 | 上市代码 | 688261.SH |
| 注册资本 | 12253.1446 万元 | 上市日期 | 2022-02-10 |
| 大股东 | 王鹏飞 | 持股比例 | 12.07% |
| 董秘 | 李麟 | 董秘电话 | 0512-62668198 |
| 所属行业 | 计算机、通信和其他电子设备制造业 | ||
| 会计师事务所 | 天健会计师事务所(特殊普通合伙) | 注册会计师 | 向晓三、朱珊珊 |
| 律师事务所 | 浙江天册律师事务所 | ||
| 注册地址 | 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室 | ||
| 概念板块 | 半导体；江苏板块；沪股通；融资融券；预亏预减；机构重仓；IGBT概念；储能；半导体概念；充电桩； | ||
企业介绍
| 注册地 | 江苏 | 成立日期 | 2008-09-12 |
| 组织形式 | 中小微民企 | 统一社会信用代码 | 91320594680506522G |
| 法定代表人 | 龚轶 | 董事长 | 龚轶 |
| 电话 | 0512-62668198 | 传真 | 0512-62534962 |
| 企业官网 | www.orientalsemi.com | 企业邮箱 | enquiry@orientalsemi.com |
| 办公地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋 | 邮编 | 215123 |
| 主营业务 | 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代 | ||
| 经营范围 | 半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、销售、进出口业务及相关技术咨询和技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) | ||
| 企业简介 | 苏州东微半导体股份有限公司成立于2008年,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。目前,东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者,在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步,产品进入多个国际一线客户,并受到了客户的一致好评。2022年2月10日,东微半导体登陆上海证券交易所科创版上市,证券代码:688261。 | ||
| 商业规划 | 2023年,因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化,经历了两年高歌猛进的功率半导体行业进入下行周期,产品价格呈现明显下降趋势,给国内众多公司相关产品持续的市场化推广带来较大压力。与国外竞争对手的综合成本优势相比,国内掌握技术创新能力的企业在下行周期背景下的抗周期能力进一步凸显,长期助力公司规避市场波动带来的经营稳定性风险。2024年一季度以来,下游应用领域结构性分化依然存在。AI相关应用呈现高景气度,汽车电子需求较为强劲,家电需求恢复且消费电子延续温和复苏,工业及光伏需求随着去库逐步回暖。板块而言,存储涨价动能持续,算力芯片、SoC、CIS、射频芯片等产品国产化和高端化进程加速,模拟和功率芯片仍有部分产品价格承压。报告期内,公司市场均衡分布在新能源汽车、直流充电桩、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、消费电子、数据中心和算力服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场,减小对单一市场及单一产品的依赖性,始终坚持以技术创新为驱动,持续提升产品性能,提高供货能力,不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续保持研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,有效保障产能供给,持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础,紧抓国产替代的历史机遇,继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域,长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。报告期内,公司独创结构的Tri-gateIGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用,尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用,性能超越国际大厂,在高端应用领域实现国产替代。报告期内,公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局,在SiC二极管、SiCMOSFET及SiCMOSFET器件上取得了较大的研发进展,其中,SiCMOSFET持续出货,进入批量交付阶段。报告期内,公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成设计流片、可靠性评估工作,基于15V驱动平台的SiCMOSFET器件产品已经进入内部验证阶段。报告期内,公司实现营业收入4.20亿元,较上年同期减少21.30%；实现归属于上市公司股东的净利润1,694.14万元,较上年同期减少83.08%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润166.27万元,较上年同期减少98.20%。公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1）公司高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入3.34亿元,较2023年同期减少24.18%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入7,248.02万元,较2023年同期增长2.66%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入1,095.64万元,较2023年同期减少22.34%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入142.95万元,较2023年同期减少80.56%；（5）公司SiC器件产品（含SiCMOSFET）报告期内实现营业收入33.17万元,较2023年同期增长446.93%。2024年下半年度,公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证,这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。（一）产品规格、应用场景进一步丰富,终端客户群体持续拓展2024年,公司在新能源汽车车载充电机、直流充电桩、工业及通信电源（含5G基站、数据中心以及算力服务器电源等）、光伏逆变及储能、工业照明、消费电子等领域持续发力。1、Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展（1）MOSFET新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、陆巡科技、英威腾等公司应用于车载电子领域,公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号。随着新能源汽车高压平台车型陆续上市,渗透率不断提高,对于直流快充/超充桩/液冷终端需求也不断提升。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系,持续批量出货给客户A、特来电、永联科技、英飞源、优优绿能、阳光电动力、汇川技术等公司,保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件,超级结MOSFET在数据中心和算力服务器电源等领域的出货量继续保持增长,继续批量出货给客户A、中兴、维谛技术等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司；继续批量出货给客户A、禾迈股份、欧陆通、固德威、麦田能源、艾罗能源等公司并应用于光伏逆变器及储能领域。报告期内,上述细分市场持续增加设计规格。公司中低压屏蔽栅MOSFET持续批量出货给客户A、长晶科技、东科半导体、长城科技、中兴康讯、视琨电子、美的股份、茂睿芯等公司应用于汽车、工业及消费电子设备领域,并且持续增加规格设计。除此之外,公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体,继续批量出货给视源股份、航嘉Huntkey等公司,并持续增加设计规格。批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份、茂硕电源等客户。公司超级硅MOSFET器件主要应用于高密度电源领域,批量进入航嘉驰源、艾罗能源、英威腾、陆巡科技、拓邦股份、欧陆通等客户。（2）TGBT公司转换TGBT竞争策略,加大TGBT大功率产品研发投入力度,积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景,并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作,获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品可批量应用于60kHz频率电源系统,实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat,对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外,公司TGBT产品也已进入300KW以上的大功率光伏发电应用方案。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功,出货量迅速增加,其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升,开发出1200V100A、140A和150A单管产品,可以替换国际领先的1200V产品。2、SiC器件（含SiCMOSFET）业务进展公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。报告期内,公司开发的SiC二极管已实现量产,基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性测试工作,基于15V-20V驱动平台的650V/750VSiCMOSFET研发工作进展顺利。公司发明的具有自主知识产权的SiCMOSFET已通过客户的验证并批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心和算力服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代。公司致力于发展全球客户,产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域,并实现了批量出货。未来,公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域,坚持技术创新驱动,以成为国际领先的功率半导体厂商为目标,为终端客户创造更大价值。（二）持续保持研发投入,保证公司产品性能国内领先报告期内,公司积极推进主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品平台的技术迭代升级,优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局,取得较好成效。进一步加大第三代半导体、第四代半导体材料等前瞻性研发投入,取得突破性进展。公司高度重视技术团队的建设,报告期内进一步扩充研发团队。截至2024年6月30日,公司研发部共拥有69名研发人员,合计占员工总数比例为48.59%。在研发投入方面,报告期内,公司的研发费用投入为3,878.39万元,占公司营业收入的比例为9.24%。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。综上,报告期内,公司主营产品技术迭代升级有序进行,新产品开发稳步推进。报告期内公司持续保持研发投入,研发人员数量、专利数量、新品开发数量保持增长。同时,公司的研发管理体系与质量体系进一步健全,报告期内多个数字化系统上线,研发效率持续提升。（三）持续稳定供应商关系,保证产能供给报告期内,公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。为了积极响应第三代半导体的发展趋势,公司已开拓多家SiC供应商进行SiC二极管、SiCMOSFET以及SiCMOSFET的合作开发,保障公司的第三代半导体产品系列研发有序推进以及供应产能的稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程,根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品,持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。（四）产业基金布局项目发展态势良好,产业链进一步协同公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资,投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。公司对于上下游产业链的投资布局,中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应,实现协同发展,推动公司持续、快速、稳定、健康发展。 | ||
财务指标
| 财务指标/时间 |
| 总资产（亿元） |
| 净资产（亿元） |
| 少数股东权益（万元） |
| 营业收入（亿元） |
| 净利润（万元） |
| 资本公积（万元） |
| 未分配利润（亿元） |
| 每股净资产（元） |
| 基本每股收益（元） |
| 稀释每股收益（元） |
| 每股经营现金流（元） |
| 加权净资产收益率（%） |
主要股东
| 序号 | 股东名称 | 持股数（股） | 持股比例（%） |
|---|---|---|---|
| 1 | 王鹏飞 | 11380921 | 12.07 |
| 2 | 苏州工业园区原点创业投资有限公司 | 10741500 | 11.39 |
| 3 | 龚轶 | 9394347 | 9.96 |
| 4 | 中新苏州工业园区创业投资有限公司 | 5040459 | 5.34 |
| 5 | 哈勃科技创业投资有限公司 | 4663053 | 4.94 |
| 6 | 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业(有限合伙) | 3520000 | 3.73 |
| 7 | 卢万松 | 3341044 | 3.54 |
| 8 | 苏州工业园区高维企业管理合伙企业(有限合伙) | 3131744 | 3.32 |
| 9 | 中芯聚源股权投资管理(上海)有限公司-上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙) | 3046251 | 3.23 |
| 10 | 上海浦东发展银行股份有限公司-广发小盘成长混合型证券投资基金(LOF) | 2457615 | 2.61 |
企业发展进程
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