苏州锴威特半导体股份有限公司

• 企业全称: 苏州锴威特半导体股份有限公司
• 企业简称: 锴威特
• 企业英文名: Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.
• 实际控制人: 丁国华
• 上市代码: 688693.SH
• 注册资本: 7368.4211 万元
• 上市日期: 2023-08-18
• 大股东: 丁国华
• 持股比例: 15.2%
• 董秘: 严泓
• 董秘电话: 0512-58979950
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 北京大华国际会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 吉正山、朱敏学
• 律师事务所: 北京植德律师事务所
• 注册地址: 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室
• 概念板块: 半导体 专精特新 融资融券 预亏预减 QFII重仓 注册制次新股 第三代半导体 半导体概念 次新股

• 注册地: 江苏
• 成立日期: 2015-01-22
• 组织形式: 中小微民企
• 统一社会信用代码: 913205823237703256
• 法定代表人: 罗寅
• 董事长: 丁国华
• 电话: 0512-58979950
• 传真: 0512-58979950
• 企业官网: www.convertsemi.com
• 企业邮箱: zhengq@convertsemi.com
• 办公地址: 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室
• 邮编: 215600
• 主营业务: 功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务
• 经营范围: 半导体分立器件、集成电路和系统模块的生产、设计、测试、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务;软件设计、开发、销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 苏州锴威特半导体股份有限公司成立于2015年。公司专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售。总部位于张家港市经济技术开发区,设有西安子公司,无锡及深圳分公司。自设立以来,公司以“自主创芯,助力核心芯片国产化”为发展理念,“服务零缺陷”为质量目标,聚焦功率半导体产业方向,采取功率器件与功率IC双轮驱动策略,将公司打造成高品质,高可靠的功率半导体供应商,凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,公司迅速在细分领域打开市场,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域,现已形成包括平面MOSFET、快恢复高压MOSFET(FRMOS)、SiC功率器件、智能功率IC等近700款产品。公司先后荣获由中国电子信息发展研究院(赛迪研究院)颁发的第十六届(2021年度)和第十五届(2020年度)“中国芯”优秀技术创新产品奖,由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届(2019年度)和第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术奖。获奖产品覆盖公司平面MOSFET、集成快恢复高压MOSFET、SiC功率器件等产品门类。公司是国家高新技术企业、江苏省“科技小巨人企业”、“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。
• 发展进程: 2015年1月,罗寅、陈锴、陈国祥及港鹰实业共同以货币出资设立锴威特有限,注册资本为500.00万元,由罗寅认缴150.00万元、陈锴认缴145.00万元、陈国祥认缴105.00万元、港鹰实业认缴100.00万元。 锴威特有限的500.00万元注册资本共分三期实缴,第一期实缴100.00万元,全部由罗寅以货币实缴出资,2015年5月16日,天衡会计师事务所(特殊普通合伙)出具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》(天衡勤验字[2015]0017号),确认本次货币出资均已经缴纳。第二期实缴100.00万元,全部由港鹰实业以货币实缴出资,2015年8月3日,天衡会计师事务所(特殊普通合伙)出具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》(天衡勤验字[2015]0025号),确认本次货币出资均已经缴纳。第三期实缴300.00万元,其中由罗寅以货币实缴出资50.00万元,由陈锴以货币实缴出资145.00万元,由陈国祥以货币实缴出资105.00万元,2016年3月3日,苏州中信联合会计师事务所(普通合伙)出具《苏州锴威特半导体有限公司验资报告》(中信验[2016]001号),确认本次货币出资均已经缴纳。2015年1月22日,锴威特有限取得苏州市张家港工商行政管理局核发的《营业执照》(注册号:320582000348672)。 2019年4月30日,立信会计师事务所(特殊普通合伙)出具《审计报告》(信会师报字[2019]第ZA51343号),锴威特有限截至2019年1月31日经审计的净资产为6,794.68万元。2019年5月1日,江苏中企华中天资产评估有限公司出具《苏州锴威特半导体有限公司拟整体改制设立股份有限公司涉及的净资产价值资产评估报告》苏中资评报字(2019)第2023号),锴威特有限截至2019年1月31日的股东全部权益价值评估值为6,891.16万元。2019年5月31日,锴威特有限召开股东会,同意以锴威特有限截至2019年1月31日经审计的账面净资产6,794.68万元按1:0.0896的比例折为股份公司的6,089,300股,每股面值人民币1元;各股东持股比例不变;公司净资产折股后超出注册资本的部分人民币6,185.75万元计入股份公司的资本公积。同日,锴威特有限全体股东作为发起人签署《苏州锴威特半导体股份有限公司发起人协议书》。2019年6月20日,公司召开第一次股东大会,决议以锴威特有限截至2019年1月31日经审计的账面净资产折股整体变更设立苏州锴威特半导体股份有限公司。2019年6月30日,立信会计师事务所(特殊普通合伙)出具《验资报告》(信会师报字[2019]第ZA52117号),经审验,截至2019年6月20日止,公司已根据《公司法》有关规定及公司折股方案,将锴威特有限截至2019年1月31日止经审计的所有者权益(净资产)人民币6,794.68万元,按1:0.0896的比例折合股份总额6,089,300股,每股1元,共计股本人民币6,089,300元,大于股本部分6,185.75万元计入资本公积。2019年7月30日,苏州市行政审批局向公司核发了《营业执照》(统一社会信用代码:913205823237703256)。
• 商业规划: 2024年上半年,公司实现营业总收入5,763.07万元,较上年同期下降56.76%；实现归属于母公司所有者的净利润为-2,807.65万元,较上年同期下降195.77%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-3,478.94万元,较上年同期下降236.35%。报告期内,半导体产业整体复苏周期长于预期,回暖速度呈现明显分化。受数字经济、AI及新质生产力发展的推动,与数字芯片相关的晶圆代工及封测已呈恢复态势,但功率及模拟类仍不达预期。当前,功率半导体行业仍处供过于求阶段,国产功率器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面,产品价格持续下滑,短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加行业竞争同步加剧,受成本增加等因素影响,公司业绩恢复不及预期。公司部分面向消费电子领域的平面MOSFET产品销量和价格下降明显,进而导致存货减值损失增加；面向高可靠领域的功率IC产品,由于集成电路处于高可靠领域产业链配套末端,公司配套产品验收程序严格和复杂、订单验收缓慢、收入确认滞后,同时新增订单不及预期。工业控制领域部分细分行业领域需求虽有所复苏,但仍不及以往需求,客户订单不及预期。报告期内,公司期间费用占营业收入的比例为77.35%。相较行业内主要竞争对手,公司的成立时间相对较短,目前处于发展期,业务规模相对较小,面临较为激烈的市场竞争,难以获取与业内龙头企业同等的优势。公司作为研发驱动型企业,为保证公司综合竞争力,亟待利用资金及人员支持达到技术领先、规模效应和品牌效应,进一步拓展市场,提升产品的市场份额。报告期内公司持续加大产品研发和销售投入,针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发,同时加大市场布局和产品推广。因此,期间费用较上年同期有大幅提升。公司积极应对技术创新、市场需求、行业竞争等多重挑战,继续深耕功率半导体领域,始终坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,以高质量发展为指引,坚持创新驱动和应用牵引,加大产品开发及应用研发投入,以适应行业发展的新趋势,稳妥应对不利影响,推动公司各项工作迈上新台阶。报告期内,公司主要经营管理工作如下：(一)持续注重研发创新,研发工作稳步推进2024年上半年,报告期内研发费用为2,498.00万元,同比增长43.58%,研发费用占营业收入的比例为43.35%。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大研发投入,根据市场发展趋势、下游客户需求,不断拓宽产品系列,强化自主研发产品竞争力,报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。PWM控制IC方面：公司持续丰富产品线,完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化,推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品。为提高电源系统效率,推出了可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动IC,工作频率可高达1MHz,工作电压可达300V。功率驱动IC方面：公司推出80V3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片,同时可支持100%占空比工作中,进一步提升系统的安全及可靠性；公司推出180VGaN专用半桥驱动芯片,工作频率高达1MHz以上。在功率MOSFET方面,报告期内公司开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局,开发了100VSGT工艺平台及12寸20V-40V的沟槽工艺平台,完成了650V100A大电流的超结产品开发。SiCMOSFET方面：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V、2600V、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台,其中1200VSiCMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段,新推出2600V和3300VSiCMOSFET产品,目前产品正在客户验证中。为优化公司研发环境,提升研发实力,报告期内公司无锡研发中心顺利完成乔迁工作,全力以赴开创新局面。此外,作为一家以人才为核心的集成电路设计企业,公司广纳优秀研发技术人才,截至2024年6月30日,公司研发人员人数增至73人,占公司总人数的比例为41.71%,其中硕士及以上学历的占研发技术人员总数的26.03%,研发技术团队规模持续扩大,人员素质不断提升。在知识产权方面,截至2024年06月30日,公司已获授权专利109项(其中发明专利66项、实用新型专利43项),集成电路布图设计专有权87项。(二)加强市场推广,完善营销体系报告期内,公司销售费用680.66万元,同比增长68.81%。公司始终以客户需求为导向,注重加强与客户的技术与需求交流,通过积极参加国内展会和技术交流会等方式加强产品和品牌的推广,在行业内保持良好互动,使公司始终站在行业最前沿,有效把握行业发展趋势,持续提升公司产品在行业的知名度和客户认可度。报告期内,公司销售人员人数增至36人,同比增加36%。为更好服务客户、及时响应客户需求和把握市场动态,提升客户覆盖度和服务质量,公司持续完善销售渠道和销售网络、增加营销人才,开发新的销售渠道,使公司客户群体更加丰富,客户结构不断优化,针对重点领域推进相关产品的市场开发及客户维护工作,力求增强老客户粘性及提高新客户转化率。(三)优化供应链管理,建立有效产品品质管控公司坚持以“服务零缺陷”为质量目标,注重与上游供应商、下游客户的战略共赢,形成了资源共享、优势互补、协同发展的供应链长期合作关系,建立了较为稳定的晶圆制造、封装和测试的供应渠道,不断完善外协供应商管理体系。为客户提供高效、可靠、优质的服务,建立良好的客户沟通合作机制,以客户需求为出发点,为客户创造价值,与客户共同成长,全力保障客户的权益。公司对于产品品质与可靠性保持一贯的重视与专注。公司根据产品研发销售的需要与品质策略,依照行业专用标准要求及募投项目建设需要,陆续组织投入资金,选型采购设备、研究产业及产品相关标准与实验方法,已建设成具备一定规模与能力的高可靠性检测实验室,有利于稳定并提升公司产品的品质与可靠性,满足客户及市场对高可靠性产品的需求。实验室及各种硬件资源配置的完善,充分提高了产品评测完整性和工作效率。（四）完善内部控制,提升公司治理水平报告期内,公司严格按照中国证监会、上海证券交易所的其他相关法律法规、部门规章的要求,公司不断完善内控流程体系,规范公司行为。公司股东大会、董事会（包括专门委员会）、监事会及经营层,积极履行各自职责,严格履行信息披露义务,确保公司规范治理得到持续加强,切实维护公司及全体股东利益,助力公司实现高质量健康发展。