无锡新洁能股份有限公司

• 企业全称: 无锡新洁能股份有限公司
• 企业简称: 新洁能
• 企业英文名: WUXI NCE POWER CO.,LTD.
• 实际控制人: 朱袁正
• 上市代码: 605111.SH
• 注册资本: 41533.2567 万元
• 上市日期: 2020-09-28
• 大股东: 朱袁正
• 持股比例: 21.84%
• 董秘: 肖东戈
• 董秘电话: 0510-85618058-8101
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 顾春华、王天
• 律师事务所: 江苏世纪同仁律师事务所
• 注册地址: 无锡市新吴区电腾路6号
• 概念板块: 半导体 江苏板块 沪股通 MSCI中国 上证380 融资融券 算力概念 基金重仓 机器人概念 IGBT概念 碳化硅 汽车芯片 第三代半导体 半导体概念 新能源车 国产芯片 无人驾驶 充电桩 太阳能 物联网

• 注册地: 江苏
• 成立日期: 2013-01-05
• 组织形式: 大型民企
• 统一社会信用代码: 913202000601816164
• 法定代表人: 朱袁正
• 董事长: 朱袁正
• 电话: 0510-85629718
• 传真: 0510-85620175
• 企业官网: www.ncepower.com
• 企业邮箱: Info@ncepower.com
• 办公地址: 无锡市新吴区电腾路6号
• 邮编: 214028
• 主营业务: MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售
• 经营范围: 电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌,证券代码:605111。
• 发展进程: 2012年11月15日,公司召开创立大会,决议发起设立新洁能,发起人为朱袁正、新潮集团和新洁能半导体。新洁能设立时法定代表人为朱袁正,股本为1,000万元,经营范围为电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。2012年12月25日,无锡大方会计师事务所(普通合伙)出具“锡方会师内验字(2012)第052号”《验资报告》,截至2012年12月25日,公司(筹)已收到全体股东缴纳的注册资本(实收资本)1,000万元,均以货币出资。
• 商业规划: 报告期内,公司共实现营业收入87,348.90万元,较去年同期增长了15.16%;归属于上市公司股东的净利润21,764.85万元,较去年同期增长了47.45%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21,413.50万元,较去年同期增长了55.21%。2024年第二季度,公司实现营业收入50,180.66万元,环比第一季度增长35.01%;归属于上市公司股东的净利润11,758.21万元,环比第一季度增长17.50%。(一)市场营销2023年受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响,全球半导体行业市场增速有所放缓。同时,国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争,公司面临着诸多挑战。基于此,公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术和产品优势、产业链优势等,持续优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户,并开发出更多的行业龙头客户,进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。2024年春节以来,下游市场逐步恢复,新兴应用领域需求显著增加,公司库存加速消化,部分产品出现了供不应求甚至持续加单的情况。公司敏锐把握市场行情,及时了解和积极响应客户需求变化,提前加大排产,满足市场新增需求,进而推动业绩稳步增长。产品结构方面:(1)IGBT产品作为光伏和储能行业的重点应用产品,2023年受到光伏储能行业整体去库存的影响,需求有所减弱。2024年初以来,下游客户需求逐渐恢复,并逐步加大提货力度,但整体销售尚未达到去年同期水平。对此,公司积极调整结构应对下游变化,拓宽了更多的应用领域,加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车电子等领域的销售力度。2024年上半年,公司IGBT实现了销售收入1.41亿元,相比去年同期减少了22.64%;销售占比从去年同期的24.07%降低到今年的16.20%。公司预计下半年光伏IGBT产品会进一步回暖,同时新品大电流IGBT单管上量,销售将比上半年有所增长。(2)SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台,也是公司产品中销售基数最大、客户群体最多的产品平台。目前SGT-MOSFET产品主要应用于汽车电子及工控、泛消费领域当中,受益于相关下游领域的景气度影响,上半年产品销量显著增长。2024年上半年,公司SGT-MOSFET实现销售收入3.60亿元,相比去年同期增长了40.29%,销售占比从去年同期33.95%增长到41.44%。目前,公司的SGT-MOSFET产品部分品种已处于供不应求阶段,公司将积极跟进客户需求,保证已有销售市场,并积极拓展其他新兴市场,尤其是AI算力服务器应用中,多款产品均为SGT系列。公司预计下半年SGT产品的销售量仍会继续提升。17/178(3)SJ-MOSFET产品方面,上半年实现销售收入1.02亿元,相比去年同期增加了8.49%,销售占比从去年同期的12.48%降低至11.78%。公司最新的第四代SJ-MOSFET产品系列型号齐全,已经开始批量交付,下半年将进一步加大在家电、AI服务器、汽车OBC等领域的推广,预计公司SJ-MOSFET产品的销售将迈上新的台阶。(4)Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,客户群体众多,应用模式多样,长期积累的客户群体广泛,对于公司产品有长期信任的基础,随着春节后部分市场的复苏,工控、泛消费、汽车电子需求的带动下,公司Trench-MOSFET产品的销售也获得了相应的增长。2024年上半年,Trench-MOSFET产品实现销售收入2.55亿,比去年同期增长了19.64%,销售占比从去年同期的28.15%提升到29.30%。市场结构和客户结构方面:2024年上半年,公司坚守稳固已有客户,开拓更多市场应用,一方面积极响应原有市场客户需求,持续跟进订单,并通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入;另一方面,公司积极探索新的下游应用领域,在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入,推动和客户的战略合作,增加客户对公司品牌的认可度,进而形成战略互补深度合作,以获取更大的市场份额提升。从具体结构来看:汽车电子方面:2023年底公司与比亚迪的合作转为直供,对于产品需求的及时保障显得更为重要,公司为比亚迪销售配置专门的团队,从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪,服务协调,实现了更多车规产品的导入,进一步扩大与比亚迪的合作规模。2024年上半年同比增长供应产品数量超5成,并有多款型号应用于OBC、DC转换等重要三电电源模块;对于其他已经形成规模出货的车企,加速提供更多AEC-Q认证的产品系列,扩大销售产品规模,涉及新的车规产品、新的车企用户,从产品送样开始建立管理体制,确保送样产品从生18/178产制程、具体车载应用、具体车型等可追溯。同时,积极协调车企对公司的审核,快速实现产品上量销售,持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和占比。公司继续将汽车市场国产品牌出货品种数最多,出货总数量最大作为公司的销售目标。光伏储能市场:2024年上半年实现了显著回暖。特别是在20KW以内混网和离网市场,受非洲等地区供电不稳定因素影响,该市场需求快速增长,形成了增长点。对此,公司一方面,积极开拓光伏企业,推广第七代IGBT产品,同时针对于该市场供应快、低成本的特点,主动进行部分库存IGBT的去库存。对于0.5至2度电类储能电源,公司通过前期市场推广布局,大力推广SGT类产品,抓住行业头部客户,有效形成了订单增量,并积极协调产能应对紧急交付,实现销售额增长。组串式光伏市场,依旧是光伏市场主要产品形态,但该市场受欧洲能源危机解除、全球经济疲软、光伏企业迅速增加等多重影响,该市场依旧处于恢复期。从长远来看,光伏依旧是实现能源清洁低碳转型、能源独立、能源安全的长远之计,光伏行业依旧是发展空间巨大、前景广阔的重要市场,公司将持续重点关注与发力。其他市场:近年以来,随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型,训练需求及推理需求高速增长,共同驱动算力革命,助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求,一方面,公司产品持续在传统服务器领域发力,以获取更多的市场份额;另一方面,公司利用自身优势,围绕AI算力服务器的相关需求开发产品,并积极开发下游客户,目前公司的相关产品已最终应用于GPU领域海外头部客户并实现大批量销售,且更多料号已通过验证,未来将进一步快速增长。此外,随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台,短途运输、物流配送、低空旅游、体验飞行、文化体育等“大众化”和“个性化”航空消费场景不断涌现,低空空域逐步开放,无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。当前我国低空应用和需求远未饱和,产业链各个环节均将受益。作为电能转换与电路控制的核心部件,低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求,公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作,公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用,部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会,持续稳定提供高可靠性的产品,与头部客户进一步深化合作。(二)研发创新2024年上半年,公司实现研发投入4,046.81万元,占营业收入的比例为4.63%。截至目前,公司共有专利197项,其中发明专利93项(不含已到期专利),集中电路布局图40项。IGBT平台:(1)第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V产品已经完成40A~200A多个电流规格产品量产,并通过代表性光伏、储能客户测试,开始进入批量阶段;19/178(2)目前第七代IGBT在12寸和8寸晶圆全部具备量产条件,并有相应产品开始批量投产。第七代650V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成内部测试,开始向客户推广,主要用于马达驱动、工业变频等应用;(3)750V高频大饱和电流IGBT平台已经搭建完成,电流规格涵盖40~200A,已经开始批量投产,主要用于单项和工商业光伏逆变及储能应用;(4)1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成,参数达到预期水平,并完成交直流测试,开始送客户端评估,该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调、PTC等应用;(5)第七代快速恢复体二极管的650V逆导(RC-IGBT)IGBT目前已经在开发流片中,该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用;(6)第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建,芯片已经产出,各项参数达到预期水平,该平台主要用于光伏、储能应用的三电平IGBT模块中;(7)第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管(FRD)芯片全部自行设计,并专门设计了不同的动态特性以匹配相应的IGBT产品应用。SJMOS平台:(1)第四代超结MOS600V、650V优化特征导通电阻(Rsp)平台已经在8寸晶圆厂全面量产;(2)500V优化特征导通电阻(Rsp)工程批已产出,特征导通电阻(Rsp)可以降低10%左右,后续将逐步进行平台展开;(3)第四代800V深沟槽SJMOS平台开始进入量产,并增加快速恢复体二极管设计,产品主要用于微型逆变器等市场;(4)第四代950V深沟槽SJMOS平台目前已经开始工程流片,该平台预计较第二代SJMOS900V平台特征导通电阻(Rsp)降低25%以上;(5)在四代SJMOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品,目前首轮工程批已完成,反向恢复速度可以提升40%,反向恢复损耗降低60%左右,参数符合预期,目前正在进行可靠性考核,该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩等应用;(6)第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计,在12寸晶圆厂进行工程流片,目标600V特征导通电阻(Rsp)降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内,进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率有要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。SGTMOS平台:(1)P沟道60VSGTMOS平台完成车规认证,参数性能达到业界领先水平,已进入量产阶段;20/178(2)具有业界最小单位元胞尺寸(CellPitch)的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低39%,该平台不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至18款;(3)具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低26%,不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至40余款,10余款产品已完成车规认证,20余款产品正在进行车规认证;(4)上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用;(5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产,并且完成车规认证,器件核心综合性能优值(FOM)较业界同规格最优竞品降低达25%以上,平台产品数量拓展至10余款,主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用;(6)基于12寸平台,达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工艺固化,进入风险量产阶段。以85V第三代SGTMOS为例,Rsp相较于上一代产品降低35%,器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上,产品主要针对AI算力、混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。TrenchMOS平台:(1)基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~60V产品平台,已Tapeout一颗产品并完成1st工程批流片参数基本达到要求,可靠性能满足车规要求;(2)N200V的工艺条件确定且工厂flow已建完,待工程批上线流通;(3)具有高元胞密度(0.75umCellPitch)的第五代P沟道20V~40V产品平台已tapeout7套mask并衍生出32颗系列产品;(4)超高元胞密度(0.55umCellPitch)第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化,已tapeout3套mask,产品进入小批量;(5)基于12寸平台具有超高元胞密度(0.65umCellPitch)第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定,目前正单项开发中。第三代半导体功率器件平台:(1)公司已开发完成1200V23mohm~75mohm和750V26mohmSiCMOSFET系列产品,新增产品6款,相关产品处于小规模销售阶段;(2)650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品、650V460mohmD-ModeGaNHEMT开发完成,新增产品2款,产品各项电学参数指标达到国内领先水平,项目产品通过可靠性考核,100V/200VGaN产品开发中。21/178汽车电子平台:公司在SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大产品平台上已有150余款典型产品基于APQP完成了产品开发,通过了AEC-Q101车规可靠性考核,报告期内新增10余款车规级产品,另有70余款产品正在认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了P型20V至200V共7个电压等级,N型30V至650V共13个电压等级,报告期内新增N型75V和82V两个电压平台系列产品,且在持续扩充增量中。此外,公司正在积极开发具有更低热阻、更高功率密度的先进车规级封装外形产品,包括双面散热PDFN5×6、TOLT、sToll等,相关系列产品均已在可靠性验证中。目前,公司的车规产品已大批量交付近100家Tier1厂商及终端车企,新增导入10余家汽车客户,从原先的域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC、电控悬架等领域,公司产品进一步应用到智能驾驶等要求更高安全、高功率、高稳定的模块中。此外,公司针对汽车质量管理体系不断完善和改进,进一步落实汽车质量管理体系对于公司的适宜性、充分性和有效性,确保质量管理体系满足IATF16949:2016与ISO9001:2015标准要求和公司发展需要。报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才,并积极组织内部学习和培训,以进一步加强AI与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。工艺条件已确定,目前正单项开发中。(三)生产运营报告期内,公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放,公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作,确保公司供应链稳定供货。同时,公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配,目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系,为后续进一步加强合作提供了供应保障。报告期内,芯片代工供应稳定,同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂,目前SiCMOSFET产品进入风险量产。同时,公司积极开发符合车规要求的化镀资源,完成了TOLT、LFPAK、STOLL等新品的工程批试封,推动封装运营管理系统的进一步电子化。(四)子公司发展情况1、电基集成公司的全资子公司电基集成,致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。报告期内,总营收比去年同期增长14.17%,利润与去年同期相比增加了181.61%,实现扭亏为盈。一直以来,电基集成特别注重制造智能化和汽车封测产线的建设,今年上半年新增数十家汽车客户的导入和监督审核,汽车产品在公司的产品结构中的占比进一步提升。厂房布局不断向智能化方向调整,智能醒料系统已建设完成并顺利投入使用,省市级智能制造示范车间项目和星级上云项目都已在申报过程中,同时持续推动智能工厂建设,以进一步提升企业竞争力。22/178电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品,包括DSCPDFN、sTOLL等封装形式,其中sTOLL的Clip加Wire的工艺已进入小量阶段,sTOLL的FullClip的工艺已进入小试状态,配合先进封装的激光全切技术已调试完成。2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体(无锡)有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子(含新能源)、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部分成员具有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已建设完成第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线,满足车规产品的生产要求,2025年通过车规质量体系IATF16949审核。产品开发方面:(1)开发完成:基于650V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,多款模块产品完成开发。完成开发的模块产品平台有LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2等。其中应用于组串式光伏逆变/储能的产品LQ2_300A&450A/650V和LE3_650A/650V已通过内部测试,客户测试进行中;应用于集中式逆变/储能的产品L62_800A/1200V和LD3_600A&800A/1200V开发完成,通过内部测试,客户测试进行中;应用于车用空调控制的产品LE1_35A/1200V和LE2_50A/1200V已通过客户测试,预计2024年下半年开始批量生产。(2)正在开发:基于1000V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正开发。包括应用于组串式光伏逆变/储能的产品LE2_100A&150A&200A/1200V、LQ2_400A/1000V、LE3_600A/1000V(同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品);集中式光伏的L62_1000A/1200V、LD3_1000A/1200V。公司计划在2024年下半年初步完成光伏领域的产品布局,与此同时,2024年下半年计划完成开发用于工业电机控制和变频的3个产品平台,包括L34、LN2、LN3;以及,在原有产品平台LE1、LE2、L62、LD3上拓展产品,开发应用于工业控制和变频的系列产品。2024年上半年,公司申请了专利27项(其中5项为发明专利),已授权5项实用新型;公司通过了2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核;2025年计划申请“国家高新科技企业”。3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术(无锡)有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来,国硅集成就特别注重研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过ISO9001体系认证。23/178目前,国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款,适用于光伏MPPT应用,家电PFC应用;量产40V桥式驱动系列产品4款,适用于中小功率风机、中低压水泵;量产250V半桥驱动芯片25款(2024年新增5款),适用于智能短交通、电动工具应用;700V半桥驱动芯片20款(2024年新增4款),适用于储能、工业控制等应用;相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增的高侧驱动、马达驱动两条产品线,已经在重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用展开推广、销售。国硅集成2024年通过江苏省“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定;顺利通过无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项;2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。截至目前,国硅集成累计获得知识产权55项,其中专利14项(发明专利6项,实用新型8项),集成电路布图40件,软件著作权1件。(五)内部管理2024年上半年,公司继续不断完善内部治理,建立健全公司内部控制制度、内部流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步整合优化各项制度流程,提升组织能力与运营效率;根据资本市场规范要求,提升公司规范运营和治理水平;严格按照相关法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;认真做好投资者关系管理工作,通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通,以便于投资者全面获取公司信息,树立公司良好的资本市场形象。同时,合法合规前提下积极做大做强公司市值,并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。(六)投资情况2024年,公司继续围绕整体发展战略,持续关注外延式扩张机会,主要目标集中在公司所处产业链相关领域,通过对一些能够与公司业务形成紧密协同、且具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资,进行积极地横向与纵向资源整合,最大程度发挥协同效应,形成新的整体解决方案,进一步加强与客户之间的合作黏性,有利于公司更好地契合下游市场,更精准地开发新品并进行快速推广,从而增强公司的核心竞争力,提升长期盈利能力,创造更多的经济效益与社会价值。2024年上半年,公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售,进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作。此外,公司参股投资以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商、原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商,该两项投资有利于公司纵向资源整合,持续完善产业链布局。